一種半導體材料晶片高效研磨劑的製作方法
2023-07-29 02:31:36
一種半導體材料晶片高效研磨劑的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種半導體材料晶片高效研磨劑,包括下列重量份數的物質:除蠟水1-9份,酸洗劑14-25份,磷化液1-3份,鈍化液1-3份,陶化劑1-3份,氫氧化鈣4-8份,八水合氫氧化鋇7-10份,氫氧化鈉7-16份,酒石酸鉀鈉7-10份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1-3份,硫酸鎂2-4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑1份。本發明半導體晶片化學機械研磨劑具備了較小的介質層磨損率和較低的腐蝕度,可以促進研磨粒子的穩定性,保持極高的鎢去除速率。由於相對降低了機械力的作用強度,凹坑、腐蝕和介質層的損耗等問題也減小了。
【專利說明】一種半導體材料晶片高效研磨劑
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體材料晶片高效研磨劑。
【背景技術】
[0002]在半導體晶片的加工製造過程中,隨著採用嵌入式(damascene)工序(一種費用相當便宜且能在矽晶片上建立更密集的元器件結構的工序)的逐步普及,對晶片中的金屬導線進行化學機械研磨(CMP, chemical mechanical planarization)拋光亦變得必不可少。鎢以其極好的對通孔和溝槽的填充性能、低的電子遷移和電阻以及優異的耐腐蝕性,被廣泛地用於半導體晶片加工製造的工藝過程中。如作為金屬觸點、通孔導線和層間互連線等。傳統上,鎢可以採用等離子體的方法刻蝕,稱作鎢回蝕。不過,鎢回蝕是一種成本高且會造成較大環境汙染的工藝。與此相反,鎢的C如:Ip工藝,在成本和環保兩方面要好得多。尤其重要的是,採用CMP的鎢拋光方法,有助於提高嵌入式工序對晶片的配線密度,進而獲得更高的晶片性能。因此,在半導體製造業中,鎢CMP己迅速成為一種被廣泛使用的技術。
【發明內容】
[0003]本發明所要解決的技術問題是提供一種半導體材料晶片高效研磨劑。
[0004]為解決上述技術問題,本發明採用的技術方案是:
一種半導體材料晶片高效研磨劑,其特徵在於,包括下列重量份數的物質:除蠟水1-9份,酸洗劑14-25份,磷化液1-3份,鈍化液1-3份,陶化劑1-3份,氫氧化鈣4_8份,八水合氫氧化鋇7-10份,氫氧化鈉 7-16份,酒石酸鉀鈉7-10份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1_3份,硫酸鎂2-4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑I份。
[0005]本發明半導體晶片化學機械研磨劑具備了較小的介質層磨損率和較低的腐蝕度,可以促進研磨粒子的穩定性,保持極高的鎢去除速率。由於相對降低了機械力的作用強度,凹坑、腐蝕和介質層的損耗等問題也減小了。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種半導體材料晶片高效研磨劑,其特徵在於,包括下列重量份數的物質:除蠟水1-9份,酸洗劑14-25份,磷化液1-3份,鈍化液1-3份,陶化劑1-3份,氫氧化鈣4_8份,八水合氫氧化鋇7-10份,氫氧化鈉7-16份,酒石酸鉀鈉7-10份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1_3份,硫酸鎂2-4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑I份。
【權利要求】
1.一種半導體材料晶片高效研磨劑,其特徵在於,包括下列重量份數的物質:除蠟水1-9份,酸洗劑14-25份,磷化液1-3份,鈍化液1-3份,陶化劑1_3份,氫氧化鈣4_8份,八水合氫氧化鋇7-10份,氫氧化鈉7-16份,酒石酸鉀鈉7-10份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1_3份,硫酸鎂2-4份,硬脂酸鈣 3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑I份。
【文檔編號】C09K3/14GK103436226SQ201310387785
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月31日 優先權日:2013年8月31日
【發明者】張竹香 申請人:青島承天偉業機械製造有限公司