用於偏置功率放大器的裝置和方法
2023-12-06 14:47:21 2
用於偏置功率放大器的裝置和方法
【專利摘要】本發明公開一種用於偏置功率放大器的裝置和方法。在一個實施例中，偏置功率放大器的方法包括：使用時間依賴信號發生器整形使能信號以生成控制電流；使用電流放大器放大所述控制電流以生成校正電流；以及使用主偏置電路生成用於功率放大器的偏置電流。所述主偏置電路被配置為使用校正電流以校正當使能功率放大器時功率放大器的增益的變化。
【專利說明】用於偏置功率放大器的裝置和方法
【技術領域】
[0001]本發明的實施例涉及一種電子系統，並且具體地，涉及一種射頻(RF)電子器件。
【背景技術】
[0002]RF功率放大器可以用於提升具有相對低功率的RF信號的功率。其後，提升後的RF信號可以用於各種目的，包括驅動發射器的天線。
[0003]可以在行動電話中包括功率放大器以放大RF信號用於傳送。例如，在使用無線區域網(WLAN)協議和/或任何適當的通信標準通信的行動電話中，功率放大器可以用於放大RF信號。管理RF信號的放大可以是重要的，因為將RF信號放大到不正確的功率電平可能使得無線設備帶外傳送。
[0004]存在對改進功率放大器系統的需要。此外，存在改進功率放大器偏置的需要。
【發明內容】
[0005]在某些實施例中，本公開涉及功率放大器系統，該功率放大器系統包括被配置為放大射頻(RF)信號的功率放大器和用於偏置功率放大器的偏置塊。所述偏置塊包括:時間依賴信號發生器，配置為對所述功率放大器的使能信號整形以生成控制電流；電流放大器，配置為放大所述控制電流以生成校正電流；以及主偏置電路，配置為至少部分基於所述校正電流生成用於所述功率放大器的偏置電流。偏置電流被配置為校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
[0006]在若干實施例中，時間依賴信號發生器包括電阻器-電容器(RC)網絡。根據許多實施例，RC網絡包括在電流放大器和被配置為接收使能信號的偏置電路的輸入之間串聯電連接的第一電阻器和第一電容器。在若干實施例中，RC網絡還包括第二電阻器，所述第二電阻器具有電連接到電流鏡的輸入的第一端，以及電連接到被配置為接收使能信號的偏置電路的輸入的第二端。
[0007]根據某些實施例，第二電阻器具有在大約IOkQ和大約IOOkQ之間的範圍內的電阻，第一電容器具有在大約IOpF和大約IOOpF之間的範圍內的電容，並且第一電阻器具有在大約IOkQ和大約IOOkQ之間的範圍內的電阻。
[0008]在許多實施例中，電流放大器包括電流鏡。在若干實施例中，電流鏡包括第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一雙極電晶體包括電連接到所述第二雙極電晶體的發射極和電力低電壓的發射極，以及電連接到所述第一雙極電晶體的基極和所述第二雙極電晶體的基極的集電極，所述第一雙極電晶體的集電極被配置為接收所述控制電流的至少部分。在某些實施例中，電流鏡還包括電阻器、第三雙極電晶體和第四雙極電晶體，所述第三雙極電晶體包含電連接到所述第四雙極電晶體的發射極和所述電力低電壓的發射極，以及電連接到所述電阻器的第一端、所述第二雙極電晶體的集電極、所述第三雙極電晶體的基極和所述第四雙極電晶體的基極的集電極，所述第四雙極電晶體的集電極被配置為生成補償電流。在若干實施例中，所述電阻器還包括被配置為接收所述使能信號的第二端。[0009]根據某些實施例，功率放大器系統還包括用於向所述功率放大器提供RF信號的收發器。
[0010]在許多實施例中，功率放大器包括具有發射極、基極和集電極的雙極電晶體，所述基極被配置為接收所述RF信號和所述偏置電流。在某些實施例中，所述發射極電連接到電力低電壓，並且所述集電極被配置為生成所述RF信號的放大後的版本。
[0011]在若干實施例中，主偏置電路包括第一電阻器、第二電阻器、第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一電阻器包括在被配置為接收所述校正電流的節點電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的第一端，以及在被配置為接收所述使能信號的偏置電流的節點電連接到所述第二電阻器的第一端的第二端，所述第二電阻器包括電連接到所述第一雙極電晶體的集電極、所述第一雙極電晶體的基極以及所述第二雙極電晶體的基極的第二端。根據某些實施例，第二雙極電晶體包括電連接到電池電壓的集電極和被配置為生成所述偏置電流的發射極。在許多實施例中，主偏置電路還包括第三雙極電晶體，所述第三雙極電晶體具有電連接到所述電力低電壓的發射極，以及電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的基極和集電極。
[0012]在某些實施例中，本公開涉及偏置功率放大器的方法。所述方法包括:用時間依賴信號發生器對使能信號整形以生成控制電流；使用電流放大器放大所述控制電流以生成校正電流；以及使用主偏置電路生成用於功率放大器的偏置電流，所述主偏置電路被配置為使用所述校正電流以校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
[0013]在許多實施例中，對所述使能信號整形包括使用所述時間依賴信號發生器的電阻器-電容器(RC)網絡。在某些實施例中，所述RC網絡包括串聯電連接的第一電阻器和第一電容器，所述RC網絡被配置為接收所述使能信號並生成所述控制電流。
[0014]在若干實施例中，放大所述控制電流還包括使用所述電流放大器的電流鏡放大所述控制電流。
[0015]根據許多實施例，生成所述偏置電流包括對所述偏置電流整形以補償異質結雙極電晶體(HBT)的增益變化。
[0016]在某些實施例中，本公開涉及用於偏置功率放大器的偏置電路。所述偏置電路包括:時間依賴信號發生器，配置為對所述功率放大器的使能信號整形以生成控制電流；電流放大器，配置為放大所述控制電流以生成校正電流；以及主偏置塊，配置為至少部分基於所述校正電流生成用於所述功率放大器的偏置電流，所述偏置電流被配置為校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
[0017]在若干實施例中，時間依賴信號發生器包括電阻器-電容器(RC)網絡。在許多實施例中，RC網絡包括串聯電連接在所述電流放大器和被配置為接收所述使能信號的所述偏置電流的輸入之間的第一電阻器和第一電容器。
[0018]根據某些實施例，所述電流放大器包括電流鏡。
[0019]在若干實施例中，所述主偏置塊包括第一電阻器、第二電阻器、第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一電阻器包括在被配置為接收所述校正電流的節點電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的第一端，以及在被配置為接收所述使能信號的偏置電流的節點電連接到所述第二電阻器的第一端的第二端，所述第二電阻器包括電連接到所述第一雙極電晶體的集電極、所述第一雙極電晶體的基極和所述第二雙極電晶體的基極的第二端。在許多實施例中，所述第二雙極電晶體包括電連接到電池電壓的集電極和被配置為生成所述偏置電流的發射極。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1是用於放大射頻(RF)信號的功率放大器模塊的示意圖。
[0021]圖2是可以包括圖1的功率放大器中的一個或多個的示例無線設備的示意框圖。
[0022]圖3A是功率放大器系統的一個示例的示意框圖。
[0023]圖3B是功率放大器系統的另一示例的示意框圖。
[0024]圖4是根據一個實施例的包括功率放大器偏置塊的功率放大器系統的一個示例的示意框圖。
[0025]圖5是根據一個實施例的功率放大器偏置塊的電流圖。
[0026]圖6是集電極電流相對於時間的一個示例的曲線圖。
[0027]圖7A是動態誤差向量幅度(EVM)相對於輸出功率的一個示例的曲線圖
[0028]圖7B是動態EVM相對於輸出功率的另一示例的曲線圖。
[0029]圖8是圖示根據一個實施例的用於偏置功率放大器的方法的流程圖。
[0030]圖9是根據一個實施例的時間依賴信號發生器的電流圖。
[0031]圖1OA是封裝的功率放大器模塊的一個示例的示意圖。
[0032]圖1OB是沿線10B-10B做出的圖1OA的封裝的功率放大器模塊的橫截面的示意圖。
【具體實施方式】
[0033]這裡提供的標題(如果有的話)僅為了方便而不一定影響要求保護的發明的範圍或含義。
[0034]這裡公開一種偏置功率放大器的裝置和方法。在某些實現方式中，提供功率放大器和功率放大器偏置塊。所述功率放大器可以用於放大射頻(RF)信號用於傳送，並且所述功率放大器偏置塊可以用於偏置功率放大器。功率放大器偏置塊可以接收可以用於使能或禁用功率放大器的使能信號，以脈衝地傳送功率放大器的輸出。
[0035]在某些實現方式中，功率放大器偏置塊包括主偏置電路以及包括時間依賴信號發生器和電流放大器的增益校正塊。時間依賴信號發生器或控制塊可以用於將使能信號整形以生成控制電流，可以由電流放大器放大所述控制電流以生成校正電流。功率放大器偏置塊可以使用主偏置電路和校正電流生成用於功率放大器的偏置電流。校正電流可以用於調整偏置電流的大小，以補償當功率放大器從禁用狀態轉變為使能狀態時功率放大器的增益隨時間的變化。例如，在使能功率放大器之後不久，由於熱效應，在沒有補償的情況下主偏置電路的電流可能緩慢上升，並且功率放大器的增益可能為低。通過包括時間依賴信號發生器和電流放大器，可以向功率放大器提供電流提升(boost)以向功率放大器提供相對於時間基本上平坦的增益響應。校正功率放大器的增益變化可以改進功率放大器的性能，例如，包括功率放大器的動態誤差向量幅度(EVM)。
[0036]功率放大器系統的概述
[0037]圖1是用於放大射頻(RF)信號的功率放大器模塊10的示意圖。圖示的功率放大器模塊(PAM) 10可以被配置為放大RF信號RF_IN以生成放大的RF信號RF_OUT。如這裡描述的，功率放大器模塊10可以包括一個或多個功率放大器,例如,包括多級功率放大器。
[0038]圖2是可以包括圖1的功率放大器模塊中的一個或多個的示例無線或行動裝置11的示意框圖。無線設備11可以包括實現本公開的一個或多個特徵的功率放大器偏置電路。
[0039]圖2中描繪的示例無線設備11可以表示諸如多頻帶/多模式行動電話的多頻帶和/或多模式設備。在某些實施例中，無線設備11可以包括開關12、收發器13、天線14、功率放大器17、控制組件18、計算機可讀介質19、處理器20和電池21。
[0040]收發器13可以生成用於經由天線14傳送的RF信號。此外，收發器13可以接收來自天線14的到來RF信號。
[0041]將理解，可以由在圖2中共同表示為收發器13的一個或多個組件實現與RF信號的傳送和接收相關聯的各種功能。例如單個組件可以被配置為提供傳送和接收功能。在另一示例中，可以由分開的組件提供傳送和接收功能。
[0042]類似地，將理解，可以由在圖2中共同表示為天線14的一個或多個組件實現與RF信號的傳送和接收相關聯的各種天線功能。例如，單個天線可以被配置為提供傳送和接收功能兩者。在另一示例中，可以由分開的天線提供傳送和接收功能。在再一示例中，可以向與無線設備11相關聯的不同頻帶提供不同天線。
[0043]圖2中，來自收發器13的一個或多個輸出信號被描繪為經由一個或多個傳送路徑15向天線14提供。在所示示例中，不同傳送路徑15可以表示與不同頻帶和/或不同功率輸出相關聯的輸出路徑。例如，所示兩個示例功率放大器17可以表示與不同功率輸出配置(例如，低功率輸出和高功率輸出)相關聯的放大，和/或與不同頻帶相關聯的放大。雖然圖2圖示了使用兩個傳送路徑15的配置，但是無線設備11可以被適配為包括更多或更少的傳送路徑15。
[0044]功率放大器17可以用於放大各種RF信號。例如，功率放大器17中的一個或多個可以接收可以用於脈衝地傳送功率放大器的輸出以幫助傳送無線區域網(WLAN)信號或任何其他適當的脈衝信號的使能信號。功率放大器17中的每一個不需要放大相同類型的信號。例如，一個功率放大器可以放大WLAN信號,而另一功率放大器可以放大例如全球移動通信系統(GSM)信號、碼分多址(CDMA)信號、W-CDMA信號、長期演進(LTE)信號或EDGE信號。
[0045]本公開的一個或多個特徵可以在上述示例模式和/或頻帶中以及在其他通信標準中實現。
[0046]圖2中，來自天線14的一個或多個檢測到的信號被描繪為經由一個或多個接收路徑16向收發器13提供。在所示示例中，不同接收路徑16可以表示與不同頻帶相關聯的路徑。雖然圖2圖示使用四個接收路徑16的配置，但是無線設備11可以被適配為包括更多或更少的接收路徑16。
[0047]為了有助於在接收和傳送路徑之間切換，開關12可以被配置為將天線14電連接到所選擇的傳送或接收路徑。因此，開關12可以提供與無線設備11的操作相關聯的多個切換功能。在某些實施例中，開關12可以包括多個開關，其被配置為提供例如與不同頻帶之間的切換、不同功率模式之間的切換、傳送和接收模式之間的切換或其某些組合相關聯的功能。開關12還可以被配置為提供額外功能，包括信號的濾波和/或雙工工作。[0048]圖2示出在某些實施例中，可以提供控制組件18用於控制與開關12、功率放大器17和/或一個或多個其他操作組件的操作相關聯的各種控制功能。這裡更詳細地描述控制組件18的非限制性示例。
[0049]在某些實施例中，處理器20可以被配置為有利於這裡描述的各種處理的實現。為了描述的目的，還可以參考方法、裝置(系統)和電腦程式產品的流程圖圖示和/或框圖描述本公開的實施例。將理解，可以由電腦程式指令實現流程圖圖示和/或框圖的每個方框以及流程圖圖示和/或框圖中的方框的組合。可以向通用計算機、專用計算機、或其他可編程數據處理裝置的處理器提供這些電腦程式指令以產生機器，使得經由計算機或其他可編程數據處理裝置的處理器執行的指令創建用於實現在流程圖和/或框圖的一個或多個方框中指定的動作的裝置。
[0050]在某些實施例中，這些電腦程式指令還可以在可以指弓I計算機或其他可編程數據處理裝置以特定方式操作的計算機可讀存儲器19中存儲，使得在計算機可讀存儲器中存儲的指令產生包括實現在流程圖和/或框圖的一個或多個方框中指定的動作的指令裝置的製造品。電腦程式指令還可以被載入到計算機或其他可編程數據處理裝置上，以使得要在計算機或其他可編程裝置上執行的一系列操作產生計算機實現的處理，使得在計算機或其他可編程裝置上執行的指令提供用於實現在流程圖和/或框圖的一個或多個方框中指定的動作的步驟。
[0051]電池21可以是任何適合於在無線設備11中使用的電池，例如，包括鋰離子電池。
[0052]圖3A是功率放大器系統26的一個不例的不意框圖。圖不的功率放大器系統26包括開關12、天線14、電池21、定向耦合器24、功率放大器偏置塊30、功率放大器32和收發器33。圖示的收發器33包括基帶處理器34、Ι/Q調製器37、混頻器38和模擬到數字轉換器(ADC) 39。
[0053]基帶信號處理器34可以用於生成I信號和Q信號，其可以用於表示希望的幅度、頻率和相位的正弦波或信號。例如，I信號可以用於表示正弦波的同相分量，並且Q信號可以用於表示正弦波的正交分量，其可以是正弦波的等價表示。在某些實現方式中，可以以數字格式向Ι/Q調製器37提供I和Q信號。基帶處理器34可以是被配置為處理基帶信號的任何適當的處理器。例如，基帶處理器34可以包括數位訊號處理器、微處理器、可編程核、或其任何組合。此外，在某些實現方式中，兩個或更多基帶處理器34可以包括在功率放大器系統26中。
[0054]Ι/Q調製器37可以被配置為從基帶處理器34接收I和Q信號並且處理I和Q信號以生成RF信號。例如，Ι/Q調製器37可以包括被配置為將I和Q信號轉換為模擬格式的DAC，用於將I和Q信號上變換為射頻的混頻器，以及用於將上變換後的I和Q信號組合為適於由功率放大器32放大的RF信號的信號組合器。在某些實現方式中，Ι/Q調製器37可以包括被配置為對在其中處理的信號的頻譜進行濾波的一個或多個濾波器。
[0055]功率放大器偏置塊30可以從基帶處理器34接收使能信號ENABLE，以及從電池21接收電池或電力高電壓\c,並且可以使用所述使能信號ENABLE生成用於功率放大器32的偏置電流Ibias。雖然圖3A圖示電池21直接生成電力高電壓Vcc，但是在某些實現方式中，電力高電壓Vcc可以是由使用電池21供電的調節器生成的調整後的電壓。功率放大器32可以從收發器33的Ι/Q調製器37接收RF信號，並且可以通過開關12向天線14提供放大後的RF信號。
[0056]定向耦接器24可以位於功率放大器32的輸出和開關12的輸入之間，從而允許不包括開關12的插入損耗的功率放大器32的輸出功率測量。可以向混頻器38提供來自定向耦合器24的感測的輸出信號，所述混頻器38可以將感測的輸出信號與受控頻率的基準信號相乘，以降低感測的輸出信號的頻譜以生成降低後的信號。可以向ADC39提供降低後的信號，所述ADC39可以將降低後的信號轉換為適合於由基帶處理器34處理的數字格式。通過在功率放大器32的輸出和基帶處理器34之間包括反饋路徑，基帶處理器34可以被配置為動態地調整I和Q信號以最優化功率放大器系統26的操作。例如，以該方式配置功率放大器系統26可以幫助控制功率放大器32的功率附加效率(PAE)和/或線性。
[0057]圖3B是功率放大器系統60的另一不例的不意框圖。圖不的功率放大器系統60包括功率放大器偏置塊40、電池21、功率放大器32、電感器62、第一電容器63、第二電容器42、阻抗匹配塊64、開關12和天線14。
[0058]圖不的功率放大器32包括具有發射極、基極和集電極的雙極電晶體61。雙極電晶體61的發射極可以電連接到第一或電力低電壓V1，其例如可以是地，並且可以通過第一電容器42向雙極電晶體61的基極提供射頻輸入信號RF_IN。雙極電晶體61可以放大RF輸入信號RF_IN並在集電極提供放大後的RF信號。雙極電晶體61可以是任何適當的器件。在一個實現方式中，雙極電晶體61是異質結雙極電晶體(HBT)。
[0059]功率放大器32可以被配置為向開關12提供放大後的RF信號。阻抗匹配塊64可以用於幫助終止功率放大器32和開關12之間的電連接。例如，阻抗匹配塊64可以用於增加功率轉移和/或減少放大後的RF信號的反射。
[0060]可以包括電感器62以有助於利用來自電池21的電力高電壓Vcc向功率放大器32供電，同時堵塞或阻塞高頻RF信號分量。電感器62可以包括電連接到電力高電壓Vcc的第一端，以及電連接到雙極電晶體61的集電極的第二端。第一或去耦電容器63電連接在電力高電壓Vcc和電力低電壓V1之間，並且可以向高頻信號提供低阻抗路徑，從而減少電力高電壓V。。的噪聲，改善功率放大器穩定性，和/或改善作為RF扼流圈的電感器62的性能。
[0061]功率放大器偏置塊40被配置為接收使能信號ENABLE和電池或電力高電壓V。。。功率放大器偏置塊40可以使用使能信號ENABLE和電池電壓Vcc生成用於偏置功率放大器32的偏置電流IBIAS。例如，如圖3B中所不,功率放大器偏置塊40可以用於生成可以用於偏置功率放大器32的雙極電晶體61的基極的偏置電流IBIAS。功率放大器偏置塊40可以使用使能信號ENABLE以控制或改變偏置電流Ibias的大小，以使能或禁用功率放大器，並由此脈衝地傳送功率放大器的輸出。例如，當使能信號ENABLE指示應激活功率放大器32時，功率放大器偏置塊40可以改變偏置電流Ibias的幅度，以實現功率放大器32的期望增益。類似地，當使能信號ENABLE指示應使功率放大器32無效時，功率放大器偏置塊40可以減少偏置電流Ibias，使得功率放大器32的增益約等於O。
[0062]雖然圖3B圖示功率放大器32的一個實現方式，但是本領域技術人員將理解這裡描述的教導可以應用於各種功率放大器結構，包括例如多級功率放大器結構和/或採用其他電晶體結構的功率放大器。
[0063]功率放大器偏置電路的概述
[0064]在這裡描述的某些實現方式中，功率放大器偏置塊包括主偏置電路和包括時間依賴信號發生器和電流放大器的增益校正塊。時間依賴信號發生器可以用於將功率放大器的使能信號整形以生成控制電流，所述控制電流可以由電流放大器放大以生成校正電流。主偏置電路可以使用校正電流以校正在使能功率放大器之後不久可能發生的功率放大器的增益的變化。補償功率放大器的增益變化可以改善功率放大器的性能，包括例如功率放大器的動態誤差向量幅度(EVM)。
[0065]包括電流放大器和時間依賴信號發生器兩者可以允許功率放大器偏置塊與功率放大器一起包括在晶片上。例如，通過放大由時間依賴信號發生器生成的控制電流，時間依賴信號發生器的組件的尺寸可以減小為適合於晶片上集成的大小。在某些實現方式中，時間依賴信號發生器可以包括電阻器-電容器(RC)網絡，並且電流放大器可以用於放大控制電流以減小生成適當的校正電流所需的電阻器和/或電容器的尺寸，從而允許時間依賴信號發生器與功率放大器集成在晶片上。
[0066]圖4是根據一個實施例的包括功率放大器偏置塊50的功率放大器系統70的一個示例的示意框圖。圖示的功率放大器系統70包括功率放大器偏置塊50、電池21和功率放大器32。功率放大器32可以是單級或多級功率放大器，並且在某些實現方式中，可以與上面參考圖3B描述的功率放大器32類似。電池21可以是諸如鋰離子電池的任何適當的電池，並且用於向功率放大器偏置塊50以及向功率放大器32提供電池或電力高電壓Vcc。功率放大器偏置塊50和功率放大器32可以與一個或多個其他組件一起集成在單個晶片上，以形成封裝的功率放大器模塊，其可以例如安裝到與圖2的無線設備11相關聯的RF電路板。
[0067]功率放大器偏置塊50包括增益校正塊71和主偏置電路74。增益校正塊71包括時間依賴信號發生器或控制塊72和電流放大器73。功率放大器偏置塊50可以接收使能信號ENABLE，並使用使能信號ENABLE以使用在電池21上存儲的電荷來生成偏置電流Ibias。例如，如前面描述的，可以向功率放大器32的雙極電晶體的基極提供偏置電流IBIAS。
[0068]使能信號ENABLE可以用於控制功率放大器32以脈衝地傳送功率放大器32的輸出。例如，當功率放大器32被配置為傳送WLAN信號時，可以選擇性地控制使能信號ENABLE，以脈衝地傳送功率放大器32的輸出。
[0069]功率放大器32可以被配置為在相對嘈雜的環境中操作。例如，可以在包括其他電子組件的電子系統中提供包括功率放大器32和功率放大器偏置塊50的晶片，所述其他電子組件包括其他功率放大器，諸如放大GSM和/或EDGE信號的功率放大器。這些電子組件可以引起電力高電壓Vcc上的噪聲。此外，功率放大器32還可以暴露於其他非理想操作環境。例如，功率放大器32和功率放大器偏置塊50可以暴露於熱梯度，並且從而可以處於不同操作溫度。此外，電力高電壓V。。的電平可以根據在其中使用功率放大器32和功率放大器偏置塊50的設備的電荷而變化。功率放大器偏置塊50可以用於補償從這些來源以及從其他來源產生的功率放大器32的增益變化。
[0070]功率放大器偏置塊50包括時間依賴信號發生器72，當使能信號ENABLE從禁用狀態轉變為使能狀態時，所述時間依賴信號發生器72可以用於生成控制電流可以向電流放大器73提供控制電流Iromm，所述電流放大器73可以放大控制電流Iamm以生成校正電流Ι?Κ.?Ν。可以由主偏置電路74使用校正電流Ιωκκκ?Ν以校正在使能功率放大器32之後不久可能發生的增益隨時間的變化。例如，在使能功率放大器32之後不久，由於熱效應在沒有補償的情況下主偏置電路74的電流可以緩慢上升，並且功率放大器32的增益可以為低。通過使用時間依賴信號發生器72和電流放大器73以在使能功率放大器32之後向其提供瞬時電流提升，功率放大器可以被配置為具有基本上隨時間恆定的增益。
[0071 ] 通過包括電流放大器73以放大由時間依賴信號發生器72生成的控制電流ICQNTm，可以減小時間依賴信號發生器72的組件的尺寸。例如，電流放大器73可以用於放大控制電流以減小生成具有校正時間常數的校正電流所需的時間依賴信號發生器72的組件的大小，從而允許時間依賴信號發生器與功率放大器32 —起集成在晶片上。
[0072]主偏置電路74可以被配置為生成相對恆定的偏置電流輸出，該偏置電流輸出可以由校正電流Ια?ΚΤΙ?調整以校正在使能功率放大器32之後不久可能發生的功率放大器32的增益變化。在某些實現方式中，主偏置電路74可以是修改後的傳統偏置電流，以便於基於校正電流的幅度調整偏置電路的輸出。主偏置電路74的額外細節可以如後面所描述的。
[0073]圖5是根據一個實施例的功率放大器偏置塊80的電路圖。功率放大器偏置塊80包括電阻器-電容器(RC)網絡82、電流鏡83和主偏置電路84。RC網絡82作為時間依賴信號發生器操作，並且電流鏡83作為電流放大器操作。功率放大器偏置塊80被配置為接收使能信號ENABLE和電池或電力高電壓V。。，並且生成偏置電流Ibias。
[0074]RC網絡82包括第一電阻器91、第二電阻器92和電容器90。第一電阻器91包括第一端，該第一端在被配置為接收使能信號ENABLE的RC網絡82的輸入電連接到電容器90的第一端。第一電阻器91還包括第二端，該第二端在被配置為向電流鏡83提供控制電流Iconteol的RC網絡82的輸出電連接到第二電阻器92的第一端。第二電阻器92還包括電連接到電容器90的第二端的第二端。
[0075]RC網絡82可以用於對使能信號ENABLE整形以生成控制電流I..。例如，電容器90和第二電阻器92可以具有選擇以實現控制電流Iromm的期望形狀的RC時間常數。可以基於在其中使用功率放大器偏置塊80的電子系統的系統參數選擇RC時間常數，包括例如使能信號ENABLE的轉變時間。在某些實現方式中，第二電阻器92和電容器90的時間常數處於大約0.1μ s到大約10 μ s的範圍內，例如，大約I μ S。
[0076]在某些實現方式中，電容器90具有在大約IOpF到大約50pF之間的範圍的電容，例如，大約25pF。第二電阻器92可以具有任何適當的電阻，例如，包括在大約IOkQ到大約IOOk Ω的範圍內的電阻，例如，大約50k Ω。雖然圖不了電容器90和第二電阻器92的一個實現方式，但是其他配置是可能的。例如，在第二電阻器92和電容器90串聯結合中第二電阻器92和電容器90的順序可以顛倒。第一電阻器91可以具有任何適當的值，例如，包括在大約IkQ到大約20kQ的範圍內的電阻，例如，大約IOkQ。在諸如圖9中所示的實現方式的某些實現方式中，可以省略第一電阻器91。
[0077]為了幫助減小RC網絡82的面積，電流鏡83可以用於放大控制電流Iromm以生成校正電流ImRRECTmN。因此，放大器83可以用於獲得適當的大小的校正電流同時相對於省略電流放大器的方案減小RC網絡82的組件的大小。通過以該方式放大控制電流lomm，功率放大器偏置塊80可以與功率放大器一起集成在晶片上，而不必使用相對大的電阻器，所述電阻器不能提供足夠的電流變化以提供適當的增益補償。
[0078]圖示的電流鏡83包括第一 NPN雙極電晶體85、第二 NPN雙極電晶體86、第三NPN雙極電晶體87、第四NPN雙極電晶體88和電阻器89。第一 NPN雙極電晶體85包括電連接到第一或電力低電壓V1的發射極，例如，所述第一或電力低電壓V1可以是地，並且基極和集電極在被配置為接收控制電流Iamm的電流鏡83的輸入電連接到第二 NPN雙極電晶體86的基極。第二 NPN雙極電晶體86還包括電連接到電力低電壓V1的發射極，以及電連接到電阻器89的第一端、第四NPN雙極電晶體88的基極及第三NPN雙極電晶體87的基極和集電極的集電極。第三雙極電晶體87和第四NPN雙極電晶體88中的每個包括電連接到電力低電壓V1的發射極。電阻器89包括被配置為接收使能信號ENABLE的第二端。第四NPN雙極電晶體88還包括被配置為生成校正電流Ια?.--的集電極。
[0079]電阻器89可以具有任何適當的電阻，包括例如基於功率放大器使能信號ENABLE的電壓電平和/或系統需求選擇的電阻。在某些實現方式中，電阻器89具有在大約IOkQ到大約50kQ之間的範圍內的電阻，例如，大約20kQ。通過將電阻器89的第二端電連接到使能信號ENABLE，當使能信號ENABLE為低時，可以減少功率放大器偏置塊80的功率消耗。然而，在其他實現方式中，可以以其他方式配置電流鏡83。
[0080]電流鏡83可以具有任何適當的增益。在一個實現方式中，電流鏡83被配置為將控制電流Iamm放大在大約5到大約50之間的範圍內的因子，例如，大約10。如在這裡使用的，術語電流鏡可以指代包括結合(例如，級聯)以實現目標增益的多個電流鏡的電流放大電路。[0081]主偏置電路84可以用於生成用於諸如圖4的功率放大器32的功率放大器的偏置電流IBIAS。圖示的主偏置電路84包括第一電阻器96、第二電阻器97、第一 NPN雙極電晶體93、第二 NPN雙極電晶體94和第三NPN雙極電晶體95。第一電阻器96包括在被配置為接收使能信號ENABLE的主偏置電路84的輸入電連接到第二電阻器97的第一端的第一端。第一電阻器96還包括第二端，該第二端在被配置為接收校正電流的主偏置電路84的輸入電連接到第二 NPN雙極電晶體94的發射極以及第一 NPN雙極電晶體93的基極和集電極。第一 NPN雙極電晶體93還包括電連接到電力低電壓V1的發射極。第二電阻器97還包括電連接到第二 NPN雙極電晶體94的基極和集電極以及第三NPN雙極電晶體95的基極的第二端。第三NPN雙極電晶體95還包括電連接到電力高電壓\c的集電極，以及被配置為生成偏置電流Ibias的發射極。
[0082]第一 NPN雙極電晶體93可以幫助對第二 NPN雙極電晶體94的發射極的電壓進行電平移動(level-shift)，其轉而可以影響第三NPN雙極電晶體95的發射極電壓。因此，包括第一 NPN雙極電晶體93可以幫助建立功率放大器偏置塊80的適當的DC操作電壓電平。
[0083]可以調節第一電阻器96和第二電阻器97以當使能信號ENABLE被激活時控制偏置電流Ibias的穩定狀態幅度。例如，可以使用第一和第二電阻器96、97建立通過第二 NPN雙極電晶體94的電流，並且可以使用第三NPN雙極電晶體95反射所述電流以生成偏置電
IbiAS。
[0084]在使能信號ENABLE變為激活時，RC網絡82可以生成可以由電流鏡83放大以生
成校正電流 !correction 的控制電流 Iconteolo
如圖5中所示,校正電流
!correction 可以用於使通過
第二 NPN雙極電晶體94的電流變化或改變。例如，當校正電流減小時，通過第二NPN雙極電晶體94的電流可以增大，這轉而增大使用第三NPN雙極電晶體95生成的偏置電流IBIAS。第二 NPN雙極電晶體94還可以幫助顛倒校正電流1mkectiqn的方向，使得其適於向第五NPN雙極電晶體95的基極提供。雖然圖示了主偏置電路的一種變化，但是可以使用其他實現方式。
[0085]圖6是集電極電流相對於時間的一個示例的曲線圖100。曲線圖100在與使能功率放大器相關聯的時間零開始。曲線圖100包括第一曲線101、第二曲線102、第三曲線103、第四曲線104和第五曲線105，其對應於不同電池電壓值。具體地，第一、第二、第三、第四和第五曲線101-105分別對應於大約3.2V、大約3.4V、大約3.6V、大約3.8V、大約4.0V的電池電壓值。
[0086]在這裡描述的某些實現方式中，時間依賴信號發生器用於生成可以用於在使能功率放大器之後大約8μ s內的時間段期間調整功率放大器的偏置電流的信號。其後，功率放大器的偏置電流可以基本上恆定，直到功率放大器的使能信號無效為止。在某些實現方式中，在校正電流用於調整功率放大器的偏置電流的初始時間段期間，功率放大器的偏置電流可以改變超過約50%。
[0087]圖7Α是動態誤差向量幅度(EVM)相對於輸出功率的一個示例的曲線圖110。曲線圖110針對不包括時間依賴信號發生器和電流放大器的功率放大器偏置塊的一個示例。曲線圖1io包括EVM對各種不同電池電壓電平的輸出功率的曲線。例如，曲線圖110包括曲線111-119，其對應於在大約3.2V和大約4.2V之間的範圍內的電池電壓。
[0088]圖7Β是動態EVM相對於輸出功率的另一示例的曲線圖120。曲線圖120針對包括時間依賴信號發生器和電流放大器的功率放大器偏置塊的一個實現方式。曲線圖120包括對於各種不同電池電壓電平EVM相對於輸出功率的曲線。例如，曲線圖120包括曲線121-129，其對應於大約3.2V和大約4.2V之間的電池電壓。曲線圖120示出可以通過包括時間依賴信號發生器和電流放大器而改善的功率放大器系統的EVM。
[0089]圖8是圖示根據一個實施例的用於偏置功率放大器的方法150的流程圖。將理解，如果需要，方法150可以包括更多或更少的操作並且可以以任何順序執行所述操作。
[0090]方法150在方框151開始,其中使用時間依賴信號發生器對功率放大器的使能信號整形以生成控制電流。功率放大器可以是任何適當的功率放大器，諸如被配置為放大WLAN信號的功率放大器。在某些實現方式中，時間依賴信號發生器包括電阻器-電容器(RC)網絡，其被配置為生成在功率放大器的使能信號激活之後開始的瞬時控制電流。在某些實現方式中，瞬時控制電流在使能信號激活之後的大約8μ s內達到穩態值。在某些實現方式中，瞬時控制電流的穩態值可以是大約0mA。
[0091]在隨後的方框152中，使用電流放大器放大控制電流以生成校正電流。在某些實現方式中，電流放大器將校正電流放大在大約5到大約50之間的範圍內的因子。電流放大器可以通過減小實現與增益補償相關聯的期望時間常數所需的時間依賴信號發生器的電路組件的大小而幫助時間依賴信號發生器對使能信號整形。
[0092]方法150在方框153繼續，其中使用主偏置電路生成用於功率放大器的偏置電流。主偏置電路被配置為使用校正電流生成用於功率放大器的偏置電流以校正當使能功率放大器時功率放大器的增益的變化。例如，主偏置電路可以被配置為基於校正電流調整偏置電流的幅度，諸如通過將校正電流加到標稱偏置電流值。
[0093]圖9是根據一個實施例的時間依賴信號發生器170的電路圖。時間依賴信號發生器170包括電阻器92和電容器90，其可以與圖5的時間依賴信號發生器82的電阻器92和電容器90類似。然而,與圖5的時間依賴信號發生器82相比，圖9的時間依賴信號發生器170不包括圖4的電阻器91。在某些實現方式中，電阻器92和電容器90的時間常數處於大約0.1μ s到大約10 μ s的範圍內，例如，大約I μ S。
[0094]圖1OA是封裝的功率放大器模塊300的一個示例的示意圖。圖1OB是沿線10Β-10Β做出的圖1OA的封裝的功率放大器300的橫截面的示意圖。
[0095]封裝的功率放大器模塊300包括IC或晶片301、表面安裝組件303、焊線308、封裝基板320和包裝340。封裝基板320包括從在其中布置的導體形成的焊墊306。此外，晶片301包括焊墊304，並且焊線308已被用於將晶片301的焊墊304電連接到封裝基板301的焊墊306。
[0096]如圖1OA和IOB中所示，晶片301包括在其中形成的功率放大器32和功率放大器偏置塊50。功率放大器偏置塊50包括時間依賴信號發生器72、電流放大器73和主偏置電路74。在某些實現方式中，時間依賴信號發生器72可以包括電阻器-電容器(RC)網絡，並且電流放大器73可以用於放大來自RC網絡的控制電流以生成校正電流，所述校正電流可以由主偏置電路74使用以生成用於功率放大器32的偏置電流，其校正與功率放大器從禁用狀態轉變為使能狀態相關聯的功率放大器32的增益變化。使用電流放大器73放大來自時間依賴信號發生器72的控制電流可以減小生成適當的校正電流所需的電阻器和/或電容器的尺寸，從而如圖1OA中所示允許時間依賴信號發生器72與功率放大器32 —起集成在晶片上。
[0097]封裝基板320可以被配置為接收多個組件，諸如晶片301和表面安裝組件303，所述表面安裝組件303可以包括例如表面安裝電容器和/或電感器。
[0098]如圖1OB中所示，封裝的功率放大器模塊300被示出為包括布置在與用於安裝晶片301的一側相對的封裝的功率放大器模塊300的一側上的多個觸墊332。以該方式配置封裝的功率放大器模塊300可以幫助將封裝的功率放大器模塊300連接到電路板，諸如無線設備的電話板。示例觸墊332可以被配置為向晶片301和/或表面安裝組件303提供RF信號、偏置信號、一個或多個電力低電壓和/或一個或多個電力高電壓。如圖1OB中所示，通過經由封裝基板320的連接333可以有助於觸墊332和晶片301之間的電連接。連接333可以表示通過封裝基板320形成的電路徑，諸如與多層層壓封裝基板的通孔和導體相關聯的連接。
[0099]在某些實施例中，封裝的功率放大器模塊300還可以包括一個或多個封裝結構以例如提供保護和/或有助於處理封裝的功率放大器模塊300。這樣的封裝結構可以包括在封裝基板320以及在其上布置的組件和一個或多個晶片上形成的外膜或包裝340。
[0100]將理解，雖然在基於焊線的電連接的背景中描述封裝的功率放大器模塊300，但是本公開的一個或多個特徵也可以在例如包括示例倒裝晶片配置的其他封裝配置中實現。
[0101]Sffl
[0102]上面描述的一些實施例已提供與行動電話相結合的示例。然而，本實施例的原理和優點可以用於需要功率放大器系統的任何其他系統或裝置。
[0103]可以在各種電子設備中實現這種功率放大器系統。電子設備的示例可以包括，但不限於，消費電子產品、消費電子產品的部件、電子測試設備等。電子設備的示例還可以包括，但不限於，存儲器晶片、存儲器模塊、光網絡或其他通信網絡的電路以及盤驅動器電路。消費電子產品可以包括，但不限於，行動電話、電話、電視、計算機監視器、計算機、手持計算機、個人數字助理(PDA)、微波爐、冰箱、汽車、立體聲系統、盒式磁帶錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、MP3播放器、收音機、可攜式攝像機、相機、數字相機、可攜式存儲器晶片、洗衣機、烘乾機、洗衣/烘乾機、複印機、傳真機、掃描儀、多功能外圍設備、腕錶、時鐘等。此外，電子設備可以包括未完成的產品。
[0104]
[0105]除非上下文清楚地另外要求，貫穿整個說明書和權利要求，詞語「包括」和「包含」等應解釋為包含性的含義，而非排他性或窮舉性的含義；也就是說，解釋為「包括，但不限於」的含義。如這裡通常使用的，詞語「耦接」指代兩個或多個元件可以直接連接或通過一個或多個中間元件連接。此外，如這裡通常使用的，詞語「連接」指代兩個或多個元件可以直接連接或通過一個或多個中間元件連接。此外，當在本申請中使用時，詞語「這裡」、「上面」、「下面」和類似意思的詞語應指代本申請整體，而非本申請的任何特定部分。如上下文允許，上面的【具體實施方式】中的、使用單數或複數的詞語也可以分別包括複數或單數。詞語「或」參考兩個或多個項的列表時，該詞語覆蓋該詞語的全部下列解釋:列表中的任何項，列表中的全部項以及列表中的項的任何組合。
[0106]此外，除非另有具體說明，或如使用的在上下文內另有理解，這裡使用的條件語言，例如尤其是「可以」、「能夠」、「可能」、「會」、「等」、「例如」和「諸如」等通常意圖傳達某些實施例包括而其他實施例不包括某些特徵、元件和/或狀態。因此，不論是否有作者輸入或提示，這種條件語言通常不意圖意指特徵、元件和/或狀態以任何方式為一個或多個實施例所需，或一個或多個實施例必須包括用於決定這些特徵、元件和/或狀態是否包括在任何特定實施例中或要在任何特定實施例中進行的邏輯。
[0107]本發明的實施例的上面的詳細描述不意圖是窮舉性的或將本發明限制為上面公開的精確形式。如相關領域技術人員將理解的，雖然為了說明的目的在上面描述了本發明的具體實施例和示例，在本發明的範圍內各種等效修改是可能的。例如，雖然以給定順序呈現處理或方框，替換實施例可以進行具有不同順序的步驟的例程，或採用具有不同順序的方框的系統，並且可以刪除、移動、添加、細分、組合和/或修改一些處理或方框。可以以各種不同方式實現這些處理或方框中的每一個。此外，雖然處理或方框有時被示出為串行進行，可替換地，這些處理或方框可以並行進行，或可以在不同時間進行。
[0108]這裡提供的本發明的教導可以應用於其他系統，不一定是上面描述的系統。可以結合上面描述的各種實施例的元件和動作以提供進一步的實施例。
[0109]雖然已描述了本發明的某些實施例，但是這些實施例僅通過示例呈現，並且不意圖限制本公開的範圍。實際上，這裡描述的新方法和系統可以以各種其他形式實施；此外，可以做出以這裡描述的方法和系統的形式的各種省略、替代和改變，而不背離本公開的精神。所附權利要求及其等效物意圖覆蓋將落入本公開的範圍和精神內的這種形式或修改。
【權利要求】
1.一種功率放大器系統，包括: 功率放大器，配置為放大射頻(RF)信號；以及 用於偏置所述功率放大器的偏置塊，所述偏置塊包含:時間依賴信號發生器，配置為對所述功率放大器的使能信號整形以生成控制電流；電流放大器，配置為放大所述控制電流以生成校正電流；以及主偏置電路，配置為至少部分基於所述校正電流生成用於所述功率放大器的偏置電流，所述偏置電流被配置為校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
2.根據權利要求1所述的功率放大器系統，其中所述時間依賴信號發生器包含電阻器-電容器(RC)網絡。
3.根據權利要求2所述的功率放大器系統，其中所述RC網絡包含在所述電流放大器和被配置為接收所述使能信號的偏置電路的輸入之間串聯電連接的第一電阻器和第一電容器。
4.根據權利要求3所述的功率放大器系統，其中所述RC網絡還包含第二電阻器，所述第二電阻器具有電連接到電流鏡的輸入的第一端，以及電連接到被配置為接收所述使能信號的所述偏置電路的輸入的第二端。
5.根據權利要求4所述的功率放大器系統，其中所述第二電阻器具有在大約IOkQ和大約IOOkQ之間的範圍內的電阻。
6.根據權利要求3所述的功率放大器系統，其中所述第一電容器具有在大約IOpF和大約IOOpF之間的範圍內的電容。
7.根據權利要求6所述的功率放大器系統，其中所述第一電阻器具有在大約IOkQ和大約IOOkQ之間的範圍內的電阻。
8.根據權利要求1所述的功率放大器系統，其中所述電流放大器包含電流鏡。
9.根據權利要求8所述的功率放大器系統，其中所述電流鏡包含第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一雙極電晶體包含電連接到所述第二雙極電晶體的發射極和電力低電壓的發射極、以及電連接到所述第一雙極電晶體的基極和所述第二雙極電晶體的基極的集電極，所述第一雙極電晶體的集電極被配置為接收至少部分所述控制電流。
10.根據權利要求9所述的功率放大器系統，其中所述電流鏡還包含電阻器、第三雙極電晶體和第四雙極電晶體，所述第三雙極電晶體包含電連接到所述第四雙極電晶體的發射極和所述電力低電壓的發射極，以及電連接到所述電阻器的第一端、所述第二雙極電晶體的集電極、所述第三雙極電晶體的基極和所述第四雙極電晶體的基極的集電極，所述第四雙極電晶體的集電極被配置為生成補償電流。
11.根據權利要求10所述的功率放大器系統，其中所述電阻器還包含被配置為接收所述使能信號的第二端。
12.根據權利要求1所述的功率放大器系統，還包含用於向所述功率放大器提供RF信號的收發器。
13.根據權利要求1所述的功率放大器系統，其中所述功率放大器包含具有發射極、基極和集電極的雙極電晶體，所述基極被配置為接收所述RF信號和所述偏置電流。
14.根據權利要求13所述的功率放大器系統，其中所述發射極電連接到電力低電壓，並且所述集電極被配置為生成所述RF信號的放大後的版本。
15.根據權利要求1所述的功率放大器系統，其中所述主偏置電路包含第一電阻器、第二電阻器、第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一電阻器包含在被配置為接收所述校正電流的節點電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的第一端，以及在被配置為接收所述使能信號的偏置電路的節點電連接到所述第二電阻器的第一端的第二端，所述第二電阻器包含電連接到所述第一雙極電晶體的集電極、所述第一雙極電晶體的基極以及所述第二雙極電晶體的基極的第二端。
16.根據權利要求15所述的功率放大器系統，其中所述第二雙極電晶體包含電連接到電池電壓的集電極和被配置為生成所述偏置電流的發射極。
17.根據權利要求16所述的功率放大器系統，其中所述主偏置電路還包含第三雙極電晶體，所述第三雙極電晶體具有電連接到電力低電壓的發射極以及電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的基極和集電極。
18.—種偏置功率放大器的方法，所述方法包括: 使用時間依賴信號發生器對使能信號整形以生成控制電流； 使用電流放大器放大所述控制電流以生成校正電流；以及 使用主偏置電路生成用於功率放大器的偏置電流，所述主偏置電路被配置為使用所述校正電流以校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
19.如權利要求18所述的方法，其中對所述使能信號整形包含使用所述時間依賴信號發生器的電阻器-電容器(RC)網絡。
20.如權利要求19所述的方法，其中所述RC網絡包含串聯電連接的第一電阻器和第一電容器，所述RC網絡被配置為接收所述使能信號並生成所述控制電流。
21.如權利要求18所述的方法，`其中放大所述控制電流還包含使用所述電流放大器的電流鏡放大所述控制電流。
22.如權利要求18所述的方法，其中生成所述偏置電流包含對所述偏置電流整形以補償異質結雙極電晶體(HBT)的增益變化。
23.—種用於偏置功率放大器的偏置電路,所述偏置電路包括: 時間依賴信號發生器，配置為對所述功率放大器的使能信號整形以生成控制電流； 電流放大器，配置為放大所述控制電流以生成校正電流；以及 主偏置塊，配置為至少部分基於所述校正電流生成用於所述功率放大器的偏置電流，所述偏置電流被配置為校正當使能所述功率放大器時所述功率放大器的增益的變化。
24.如權利要求23所述的偏置電路，其中所述時間依賴信號發生器包含電阻器-電容器(RC)網絡。
25.如權利要求24所述的偏置電路，其中所述RC網絡包含串聯電連接在所述電流放大器和被配置為接收所述使能信號的所述偏置電路的輸入之間的第一電阻器和第一電容器。
26.如權利要求23所述的偏置電路，其中所述電流放大器包含電流鏡。
27.如權利要求23所述的偏置電路，其中所述主偏置塊包含第一電阻器、第二電阻器、第一雙極電晶體和第二雙極電晶體，所述第一電阻器包含在被配置為接收所述校正電流的節點電連接到所述第一雙極電晶體的發射極的第一端，以及在被配置為接收所述使能信號的偏置電流的節點電連接到所述第二電阻器的第一端的第二端，所述第二電阻器包含電連接到所述第一雙極電晶體的集電極、所述第一雙極電晶體的基極和所述第二雙極電晶體的基極的第二端。
28.如權利要求27所述的偏置電路，其中所述第二雙極電晶體包含電連接到電池電壓的集電極，以及 被配置為生成所述偏置電流的發射極。
【文檔編號】H03F1/30GK103650337SQ201280033348
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年5月9日 優先權日:2011年5月13日
【發明者】P.李, P.T.迪卡羅 申請人:天工方案公司