埋入式電容器及其製造方法
2023-11-09 05:54:37
專利名稱：埋入式電容器及其製造方法
技術領域：
本申請要求2008年10月30日提交的韓國專利申請10-2008-0107370的優先權，
通過引用將其全文併入本文。
實施方案涉及埋入式電容器及其製造方法。
背景技術：
最近，為製造埋入式電容器已經進行了各種研究。
例如，儘管包括鋇鈦氧化物的埋入式電容器的絕緣體應用於PCB(印刷電路板)， 但是鋇鈦氧化物是在約900°C的高溫進行成型的。因此鋇鈦氧化物不能用於不耐高溫的基於環氧樹脂的PCB。另外，存在產品良品率或製造成本增加的問題。
因此，對於在低溫下成型從而可應用於PCB並且不需要烘焙工藝的埋入式電容器進行了研究。
發明內容
技術問題
實施方案提供一種具有新結構的電容器及其製造方法。
實施方案提供一種具有新結構的埋入式電容器及其製造方法。
實施方案提供一種電容器及其製造方法，所述方法中所述電容器可無需高溫烘焙工藝地製造。
實施方案提供一種能夠表現出優異熱輻射效應的埋入式電容器及其製造方法。 技術方案
根據實施方案，一種電容器包括金屬襯底、在所述金屬襯底上的金屬氧化物層、 在所述金屬氧化物層的第一表面上的第一電極層以及在所述金屬氧化物層的第二表面上的第二電極層。
根據實施方案，一種埋入式電容器包括設置在多層電路襯底中的金屬襯底、在所述金屬襯底上的金屬氧化物層、在所述金屬氧化物層的第一表面上的第一電極層、在所述金屬氧化物層的第二表面上的第二電極層、在所述金屬襯底的第一和第二表面上的包圍所述第一和第二電極層的絕緣層、以及穿過所述絕緣層並與所述第一和第二電極層電連接的通路、以及與所述通路電連接的電路圖案。
根據實施方案，一種製造電容器的方法包括在金屬襯底的第一和第二表面上形成光刻膠圖案；通過利用光刻膠圖案作為掩模，對所述金屬襯底實施氧化工藝在所述金屬襯底上選擇性形成金屬氧化物層；和在所述金屬氧化物層的第一和第二表面上分別形成第一和第二電極層。
根據實施方案，一種製造埋入式電容器的方法包括在金屬襯底的第一和第二表面上形成光刻膠圖案；通過利用光刻膠圖案作為掩模，對所述金屬襯底實施氧化工藝在所述金屬襯底上選擇性形成金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層的第一和第二表面上分別形成第一和第二電極層；在所述金屬襯底的第一和第二表面上形成包圍所述第一和第二電極層的絕緣層；和形成穿過所述絕緣層並與所述第一和第二電極層電連接的通路，以及與所述通路電連接的電路圖案。 有益效果
實施方案可提供一種具有新結構的電容器及其製造方法。
實施方案可提供一種具有新結構的埋入式電容器及其製造方法。
實施方案可提供一種電容器及其製造方法，所述方法中所述電容器可無需高溫烘焙工藝地製造。
實施方案可提供一種能夠表現出優異熱輻射效應的埋入式電容器及其製造方法。
圖1至6是用於解釋根據實施方案製造埋入式電容器方法的截面圖。
具體實施例方式
發明模式
在實施方案的描述中，應理解，當層(或膜)、區域、圖案或結構稱為在另一襯底、 另一層(或膜)、另一區域、另一墊或另一圖案「上」或「下」時，其可以「直接地」或「間接地」在所述另一襯底、層(或膜)、區域、墊或圖案「上」或「下」，或者也可以存在一個或者更多個中間層。所述層的這種位置已經參考附圖進行描述。
為了方便和清楚的目的，附圖中所示各層的厚度和尺寸可進行放大、省略或示意性地繪製。另外，要素/元件的尺寸並不絕對反映其實際尺寸。
下文中，將參考附圖詳細描述根據實施方案的埋入式電容器及其製造方法。
圖1至6是用於解釋根據實施方案製造埋入式電容器方法的截面圖。
參考圖1，製備金屬襯底10。金屬襯底10的厚度為約0. 3μπι至約IOOym,並且可包括選自鋁(Al)、主要包含Al的合金、鎂(Mg)、主要包含Mg的合金、鈦(Ti)和主要包含 Ti的合金中的一種。例如，金屬襯底10可包括Al。
然後，在金屬襯底10的頂表面和底表面上形成光刻膠圖案11。光刻膠圖案11相互對應地形成於金屬襯底10的頂表面和底表面上。
參考圖2，對具有光刻膠圖案11的金屬襯底10實施氧化工藝。
由於對金屬襯底10實施氧化工藝，所以在沒有光刻膠圖案11的區域形成金屬氧化物層20。金屬氧化物層20用作電容器的介電物質。金屬氧化物層20可包括選自Α1、Α1 的合金、Ti、Ti的合金、Mg、Mg的合金中的材料。
例如，當金屬襯底10包括Al並且金屬襯底10被陽極化時，金屬氧化物層20可包括氧化鋁層(Al2O3)。
參考圖3，在對金屬襯底10實施氧化工藝並形成金屬氧化物層20之後，移除光刻膠圖案11。
參考圖4，在具有金屬氧化物層20的金屬襯底10的頂表面和底表面上形成導電層 30。導電層30可通過濺射工藝或沉積工藝形成。例如，導電層30可包括銅(Cu)。
參考圖5，通過圖案化導電層30在金屬氧化物層20上形成第一和第二電極層31和32。
因此，製造了包括第一電極層31、金屬氧化物層20和第二電極層32的電容器。
根據實施方案，對於厚度為約7 μ m的鋁襯底實施陽極化工藝。陽極化工藝在其中電極和鋁襯底的距離為約15cm和電壓為約50V的條件下、在18°C的溫度下進行30分鐘。 因此，包含氧化鋁層、第一銅電極層和第二銅電極層的電容器具有約100pF/mm2的電容和約 2ΜΩ的薄層電阻(Rs)0 同時，通過經由對金屬襯底10實施氧化工藝形成作為介電層的金屬氧化物層20 和在所述金屬氧化物層20的頂表面和底表面上形成第一和第二電極層31和32來製造的所述電容器可埋入到多層PCB中。
參考圖6，在金屬襯底10的頂表面和底表面上形成絕緣層40。絕緣層40可包括樹脂材料例如環氧樹脂。
然後，通路51形成為穿過絕緣層40並與第一和第二電極層31和32電連接。在絕緣層40的頂表面和底表面上形成電路圖案52，使得電路圖案52與通路51電連接。
另外，可以在絕緣層40和電路圖案52的頂表面和底表面上另外重複形成絕緣層、 通路和電路圖案。
因此，電容器可以埋入包括絕緣層、通路和電路圖案的多層PCB中。電容器可設置在多層PCB的中間層處，或者可以偏向於多層PCB的頂側或底側。
在根據實施方案的電容器中金屬襯底10表現出優異的導熱性。因此，如果電容器位於多層PCB內，那麼由PCB內部釋放的熱可容易地釋放到外部。
此外，由於在根據實施方案的電容器中通過陽極化工藝形成介電物質，所以不需要高溫烘焙工藝。因此，電容器可有效地埋入基於樹脂材料的PCB中。
在本說明書中對"一個實施方案"、「實施方案"、「示例性實施方案"等的任何引用，表示與該實施方案相關描述的具體的特徵、結構或特性包含於本發明的至少一個實施方案中。在說明書不同地方出現的這些措詞不必都涉及相同的實施方案。此外，當結合任何實施方案描述具體的特徵、結構或特性時，認為將這種特徵、結構或特性與實施方案的其它特徵、結構或特性進行關聯均在本領域技術人員的範圍之內。
雖然已經參考若干說明性實施方案描述了實施方案，但是應理解本領域技術人員可設計出很多其它改變和實施方案，這些也將落入本公開的原理的精神和範圍內。更具體地，在公開、附圖和所附的權利要求的範圍內，在本發明的組合結構的構件和/或結構中， 可能具有各種變化和改變。除構件和/或結構的變化和改變之外，對本領域技術人員而言， 可替代的用途也會是明顯的。 工業應用性
本發明適用於電容器和埋入式電容器。
權利要求
1.一種電容器，包括 金屬襯底；在所述金屬襯底上的金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層的第一表面上的第一電極層；和在所述金屬氧化物層的第二表面上的第二電極層。
2.權利要求1所述的電容器，其中所述金屬襯底的厚度為約0.3 μ m至約100 μ m。
3.權利要求1所述的電容器，其中所述金屬氧化物層部分地形成於所述金屬襯底上， 並且暴露於所述金屬襯底的所述第一和第二表面。
4.權利要求1所述的電容器，其中所述金屬襯底包括選自鋁(Al)、主要包含Al的合金、鈦(Ti)、主要包含Ti的合金、鎂(Mg)和主要包含Mg的合金中的一種。
5.一種埋入式電容器，包括 設置在多層電路襯底中的金屬襯底； 在所述金屬襯底上的金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層的第一表面上的第一電極層； 在所述金屬氧化物層的第二表面上的第二電極層；在所述金屬襯底的第一和第二表面上的包圍所述第一和第二電極層的絕緣層；和穿過所述絕緣層並與所述第一和第二電極層電連接的通路，以及與所述通路電連接的電路圖案。
6.權利要求5所述的埋入式電容器，其中所述絕緣層包括環氧樹脂。
7.權利要求5的電容器，其中所述金屬襯底包括選自鋁(Al)、主要包含Al的合金、鈦 (Ti)、主要包含Ti的合金、鎂(Mg)和主要包含Mg的合金中的一種。
8.—種製造電容器的方法，所述方法包括 在金屬襯底的第一和第二表面上形成光刻膠圖案；通過利用光刻膠圖案作為掩模，對所述金屬襯底實施氧化工藝在所述金屬襯底上選擇性地形成金屬氧化物層；和在所述金屬氧化物層的第一和第二表面上分別形成第一和第二電極層。
9.權利要求8所述的方法，其中所述金屬襯底的厚度為約0.3 μ m至約100 μ m。
10.權利要求8所述的方法，其中所述金屬襯底包括選自鋁(Al)、主要包含Al的合金、 鈦(Ti)、主要包含Ti的合金、鎂(Mg)和主要包含Mg的合金中的一種。
11.一種製造埋入式電容器的方法，所述方法包括 在金屬襯底的第一和第二表面上形成光刻膠圖案；通過利用光刻膠圖案作為掩模，對所述金屬襯底實施氧化工藝在所述金屬襯底上選擇性地形成金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層的第一和第二表面上分別形成第一和第二電極層； 在所述金屬襯底的第一和第二表面上形成包圍所述第一和第二電極層的絕緣層；和形成穿過所述絕緣層並與所述第一和第二電極層電連接的通路，以及與所述通路電連接的電路圖案。
12.權利要求11所述的方法，其中所述絕緣層包括環氧樹脂。
13.權利要求11所述的方法，其中所述金屬襯底包括選自鋁(Al)、主要包含Al的合金、鈦(Ti)、主要包含Ti的合金、鎂(Mg)和主要包含Mg的合金中的一種。
全文摘要
根據實施方案的電容器包括金屬襯底、在所述金屬襯底上形成的金屬氧化物膜、在所述金屬氧化物膜的第一表面上形成的第一電極層、以及在所述金屬氧化物膜的第二表面上形成的第二電極層。
文檔編號H01G9/045GK102187414SQ200980140939
公開日2011年9月14日 申請日期2009年10月30日 優先權日2008年10月30日
發明者崔宰鳳, 南相赫 申請人:Lg伊諾特有限公司