半導體反應室元件固定裝置的製作方法
2023-06-12 10:54:26 4
專利名稱：半導體反應室元件固定裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種固定裝置，且特別是涉及一種配置於反應室中，用以固定圓形頂板(Shower head)的固定裝置。
背景技術：
集成電路在我們的日常生活中，幾乎已達到無所不在的境界，其主要的應用除了我們耳熟能詳的計算機工業外，現已廣泛地應用在各種的消費性電子產品上。而集成電路的生產主要分為三個階段，從矽晶片的製造，到集成電路的製作，最後在封裝之後，才能算是完成一個成品。
上述的三個生產階段中，又以集成電路製作的流程最為複雜，包括了晶片清洗、氧化、光刻、離子注入、蝕刻、光致抗蝕劑剝除、化學氣相沉積、物理氣相沉積、化學機械拋光、快速熱回火等數百種不同的工藝，需耗時一、兩個月才能完成，且由於這些工藝多半是在一個反應室中完成，反應室的結構設計將直接影響到工藝的成品率，因此，如何設計一個同時符合各階段工藝要求，以及維護產品成品率的反應室也成為半導體廠商的重要課題。
圖1所繪示為傳統反應室的俯視圖。請參照圖1，半導體反應室100包括了四個支撐架110、120、130、140、圓形頂板(Shower head)170(為四個支撐架所支撐，主要作用為提供反應氣體來源，利用似蓮蓬頭噴灑方式將反應氣體均勻、等量通入反應室內，進而完成反應氣體的供應)以及一個閘式閥(GateValve)150，其中閘式閥150為提供半導體元件160進出反應室100的一個出入口。
然而，由於支撐架110、120、130、140的設計位於反應室之內，因此在半導體元件160實施薄膜工藝時，很容易使薄膜附著其上，隨著長時間反覆的累積之後，這些附著的薄膜將開始掉落，且由於其中支撐架110的位置又是位於半導體元件160進出反應室100的路徑上，因此會在半導體元件160上形成一道由微塵(Particle)形成的帶狀缺陷。圖2所繪示為晶片上微塵的分布圖，如圖2所示，由支撐架掉落在晶片200上的微塵集中分布於晶片200中央的帶狀區域，其長度及寬度分別為300.0mm(晶片200的直徑)及47.2mm，如此將有可能使半導體元件160因遭受汙染而損壞，造成不小的損失。
實用新型內容有鑑於此，本實用新型的目的就是在提供一種半導體反應室元件固定裝置，通過將用來固定反應室內圓形頂板的支撐架從半導體元件進出反應室的閘式閥的路徑上移除，而避免附著在支撐架上的微塵掉落，而造成半導體元件的缺陷。
本實用新型提出一種半導體反應室元件固定裝置，適於固定反應室中的圓形頂板及三個支撐架。其中，圓形頂板提供反應氣體來源，而三個支撐架則分別配置於圓形頂板旁的三個支撐點，適於在反應室中固定圓形頂板，且任何一個支撐架皆不配置於半導體元件進出反應室的閘式閥的路徑上。
依照本實用新型的優選實施例所述半導體反應室元件固定裝置，上述的支撐點以形成一個正三角形的三個頂點的方式配置於圓形頂板的外圍，以均衡固定圓形頂板。
依照本實用新型的優選實施例所述半導體反應室元件固定裝置，上述的支撐點其中之一配置於圓形頂板外圍相對閘式閥的位置上。
依照本實用新型的優選實施例所述半導體反應室固定裝置，上述的支撐架具有用以嵌住圓形頂板的寬度，從而固定圓形頂板。
依照本實用新型的優選實施例所述半導體反應室元件固定裝置，上述的寬度介於50至60毫米(mm)之間。
依照本實用新型的優選實施例所述半導體反應室元件固定裝置，上述的半導體元件的直徑約為300毫米。
本實用新型因採用以三個支撐架固定圓形頂板，從而避免在晶片進出反應室時，附著在支撐架上的微塵掉落在所述晶片上，且以正三角形的方式配置此三個支撐架，而達到均衡固定圓形頂板的功效。
為讓本實用新型的上述和其它目的、特徵和優點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優選實施例，以更詳細地說明本實用新型。
圖1所繪示為傳統反應室的俯視圖。
圖2所繪示為晶片上微塵的分布圖。
圖3是依照本實用新型優選實施例所繪示的半導體反應室元件固定裝置的配置圖。
圖4是依照本實用新型優選實施例所繪示的改良後晶片上微塵的分布圖。
簡單符號說明100、300反應室110、120、130、140、310、320、330支撐架150、340閘式閥160、360半導體元件170、350圓形頂板200、400晶片具體實施方式
圖3是依照本實用新型優選實施例所繪示的半導體反應室元件固定裝置的配置圖。請參照圖3，本實施例通過重新配置反應室300中的支撐架位置及數量，而將支撐架從半導體元件進出反應室300的路徑中移除，以避免支撐架上的微塵掉落半導體元件造成汙染。
如圖3所示，反應室300包括了三個支撐架310、320、330，以及一個閘式閥340，其中，此三個支撐架310、320、330分別配置於圓形頂板350外圍的三個支撐點，用以固定圓形頂板350，且支撐架310、320、330之中的任一個皆不配置於半導體元件360進出反應室300的閘式閥340的路徑上。
此外，上述支撐架310、320、330以形成正三角形的三個頂點的方式配置於圓形頂板350的外圍，因此可以均衡固定圓形頂板350。而支撐架310、320、330的其中之一例如是配置於圓形頂板350外圍相對於閘式閥340的位置上，並不限制其範圍。
值得一提的是，本實施例的半導體元件例如是一個晶片，而其直徑例如是約300毫米(mm)，且支撐架310、320、330亦可具有一個介於50至60毫米之間寬度，以適於嵌住圓形頂板350，從而固定圓形頂板350。
圖4是依照本實用新型優選實施例所繪示的改良後晶片上微塵的分布圖，如圖4所示，由支撐架掉落在晶片400上的微塵數量已大幅減少，且僅零星分散於晶片400的表面上，與採用傳統固定裝置所造成的帶狀缺陷(如圖2所示)相比，本實用新型的半導體反應室元件固定裝置，可有效避免支撐架上的微塵掉落在晶片之上。
綜上所述，在本實用新型的半導體反應室元件固定裝置中，通過將固定圓形頂板的支撐架自晶片進出反應室的路徑中移除，因此可以避免附著於支撐架上的微塵掉落，且由於支撐架以正三角形的三個頂點的方式配置，而能夠平均支撐圓形頂板，達到有效改善晶片上帶狀缺陷的目的。
雖然本實用新型以優選實施例揭露如上，然而其並非用以限定本實用新型，本領域的技術人員在不脫離本實用新型的精神和範圍內，可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護範圍應當以權利要求所界定者為準。
權利要求1.一種半導體反應室元件固定裝置，包括圓形頂板，適於通入反應氣體至反應室內的半導體元件；三個支撐架，分別配置於所述圓形頂板外圍的三個支撐點，以固定所述圓形頂板；以及閘式閥，提供所述半導體元件進出所述反應室的出入口，其特徵在於所述些支撐架的任一皆不配置於所述半導體元件進出於所述反應室的所述閘式閥的路徑上。
2.如權利要求1所述的半導體反應室元件固定裝置，其特徵在於所述些支撐點以形成正三角形的三個頂點的方式配置於所述圓形頂板的外圍，以均衡固定所述圓形頂板。
3.如權利要求2所述的半導體反應室元件固定裝置，其特徵在於所述些支撐點其中之一配置於所述圓形頂板外圍相對所述閘式閥的位置上。
4.如權利要求1所述的半導體反應室元件固定裝置，其特徵在於所述些支撐架具有適於嵌住所述圓形頂板的寬度。
5.如權利要求4所述的半導體反應室元件固定裝置，其特徵在於所述寬度介於50至60毫米之間。
6.如權利要求1所述的半導體反應室元件固定裝置，其特徵在於所述半導體元件的直徑約為300毫米。
7.如權利要求1所述的半導體反應室元件固定裝置，其中所述半導體元件為晶片。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體反應室元件固定裝置包括圓形頂板，適於通入反應氣體至反應室內的半導體元件；三個支撐架，分別配置於所述圓形頂板外圍的三個支撐點，以固定所述圓形頂板；以及閘式閥，提供所述半導體元件進出所述反應室的出入口，其中所述支撐架的任一皆不配置於所述半導體元件進出於所述反應室的所述閘式閥的路徑上。該半導體反應室元件固定裝置通過將固定圓形頂板(Shower head)的支撐架從晶片進出反應室的路徑中移除，因此可以避免附著於支撐架上的微塵掉落，且由於支撐架以正三角形的三個頂點的方式配置，因此能夠平均地支撐圓形頂板，達到有效改善晶片上帶狀缺陷的目的。
文檔編號H01L21/205GK2924787SQ20062011258
公開日2007年7月18日 申請日期2006年4月26日 優先權日2006年4月26日
發明者鄭意中, 呂思漢, 吳元勝, 王進明, 洪華駿 申請人:力晶半導體股份有限公司