基板劃傷檢測的方法和設備與流程
2024-04-10 11:30:05 1
本發明涉及液晶顯示技術領域，具體地涉及一種基板劃傷檢測的方法和設備。
背景技術：
隨著顯示技術的發展，液晶顯示裝置已經成為人們日常生活中的主流產品。目前，液晶顯示產品(Liquid Crystal Display：簡稱LCD)在進行第二次切割後，基板的薄膜電晶體扇出TFT Fan Out區域會暴露出來(參見圖1所示)，基板在後續生產流通環節中，由於各種原因，很容易出現TFT Fan Out區域的信號線路上方絕緣層劃傷的情況，該劃傷會導致絕緣層破損，金屬暴露後線路腐蝕，使TFT Fan Out區域出現線缺陷導致顯示區域Line Defect，從而使問題產品進行出貨。
技術實現要素：
有鑑於此，本發明的目的是針對現有技術中存在的問題，提供一種基板劃傷檢測的方法和設備，以解決基板生產流通環節中TFT Fan Out區域的絕緣層表面劃傷的問題。
本發明提供的一種基板劃傷檢測的方法，包括：在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路；
檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值；
將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較；
根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可選的，所述在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路的步驟包括：
根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路；
或者，根據集成電路的成本形成分布式線路。
可選的，所述根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路包括：
根據信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據所述寬度生成分布式線路。
可選的，所述根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷的步驟包括：
若所述第一電容值不等於所述第二電容值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可選的，所述根據比較結果確定基板絕緣層表面劃傷的步驟包括：
若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷；
或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可選的，所述氧化物材料包括：氧化銦錫材料。
根據另一方面本發明還公開了一種基板劃傷檢測的設備，包括：
掩膜板和測試裝置，其中，所述測試裝置包括：測試夾具和集成電路；
所述掩膜板用於在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路；
所述測試夾具用於檢測所述掩膜版形成的所述分布式線路中每條線路的第一電容值；
所述集成電路用於將測試夾具檢測的所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較；
所述集成電路包括比較單元，所述比較單元用於根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可選的，所述掩膜板用於根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路；
或者，根據集成電路的成本形成分布式線路。
可選的，所述掩膜板還用於
根據信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據所述寬度生成分布式線路。
可選的，所述比較單元具體用於：
若所述第一電容值不等於所述第二電容值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可選的，所述比較單元具體用於：
若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷；
或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
與現有技術相比，本發明至少包括以下優點：
本發明在基板TFT Fan Out區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，減輕絕緣表面劃傷，然後檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較，根據比較結果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產流通階段可以及時發現TFT Fan Out區域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產品出貨，進而降低了客戶端產品的不良率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對本發明實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發明基板的薄膜電晶體扇出TFT Fan Out區域的示意圖；
圖2是本發明實施例一所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖；
圖3是本發明實施例二所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖；
圖3-a是本發明標準的分布式線路的示意圖；
圖3-b是本發明劃傷的分布式線路的示意圖；
圖4是本發明基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路的示意圖；
圖5是本發明基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路的示意圖；
圖6-a是本發明在基板扇出區域的絕緣層表面形成的分布式線路示意圖；
圖6-b是本發明圖6-a的分布式線路的等價電路示意圖；
圖7是本發明在基板扇出區域的絕緣層表面形成的分布式線路示意圖；
圖8是本發明第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較的示意圖；
圖9是根據實施例三所述一種基板劃傷檢測設備的示意圖。
具體實施方式
下面將參照附圖更詳細地描述本公開的優選實施方式。雖然附圖中顯示了本公開的優選實施方式，然而應該理解，可以以各種形式實現本公開而不應被這裡闡述的實施方式所限制。相反，提供這些實施方式是為了使本公開更加透徹和完整，並且能夠將本公開的範圍完整地傳達給本領域的技術人員。
實施例一
參照圖2，其示出了本發明實施例一所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖，該方法具體包括：
步驟201：在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。
通過掩膜版在基板扇出區域的絕緣層表面通過對光阻劑曝光形成分布式線路圖形，然後使用酸進行刻蝕，將沒有光阻劑覆蓋部分的氧化物刻蝕，保留掩膜板圖形，形成分布式線路，從而防止基板扇出區域的絕緣層表面被劃傷。
氧化物材料可以為銦錫氧化物ITO，該銦錫氧化物透明且導電性好，也可以為其他金屬氧化物材料，對此本發明不做具體限制。
步驟202：檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值。
使用測試裝置中的測試夾具檢測分布式線路中每條線路的第一電容值。
步驟203：將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較。
步驟204：根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
參見圖3-a示出了標準的分布式線路的示意圖，參見圖3-b示出了劃傷的分布式線路的示意圖。
通過測試裝置獲得圖3-a中的獲得第二電容值C1-1、C4-1……Cn-1。
通過測試裝置獲得圖3-b中的第一電容值C1-2、C4-2.......Cn-2，將C1-2與C1-1比較，C4-2與C4-1比較.......Cn-2與Cn-1比較，獲得比較結果，若比較結果中任何一個不相等，則判定基本扇出區域的絕緣層表面劃傷。
本發明實施例，通過在基板TFT Fan Out區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，防止絕緣表面劃傷，然後檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較，根據比較結果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產流通階段可以及時發現TFT Fan Out區域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產品出貨，進而降低了產品的不良率。
實施例二
參照圖3，其示出了本申請實施例二所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖，該方法具體包括：
步驟301：在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。
在實際應用中可以根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路，並且形成的分布式線路需要覆蓋扇出區域的絕緣層表面的所有信號線，參見圖4所示。
圖4中，黑色加粗的區域，是通過掩膜版在基板扇出區域的絕緣層表面形成的分布式線路，通過測試夾具測量分布式線路中的每條線路的第一電容值，該第一電容值是指圖4中Tx與Rx之間的電容值。
優選的，所述根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路包括：根據信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據所述寬度生成分布式線路。
參見圖5中，假設信息線劃傷的長度為2條信號線，則確定分布式線路的寬度為覆蓋兩條信號線，則根據所述寬度生成的分布式線路圖。
分布式線路還可以根據集成電路(IC)的成本形成分布式線路，如果集成電路的成本較高，則可以形成比較複雜的分布式線路，如果集成電路的成本低，則可以形成比較簡單的分布式線路。
IC成本高，則說明分布式線路的接口多，而IC成本低，則說明分布式線路的接口少，圖6-a示出了IC成本低的分布式線路，將圖6-a的等價電路圖如圖6-b所示，從如圖6-b可以很直觀的看出，IC的接口很少，因而降低了IC的製作成本。
分布式線路圖還可以採用其他方式，例如圖7中所示的分布式線路，在後續實際使用中本領域技術人員可以採用不同圖案的分布式線路，只要形成的分布式線路覆蓋所有信號線即可，本發明對分布式線路的圖案不做具體限制。
步驟302：檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值。
步驟303：將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較。
參見圖8示出了第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較的示意圖，測試夾具檢測到分布式線路中每條線路的第一電容值C2，將第一電容值C2分別與標準產品的第二電容值C1進行比較，若出現第一電容值不等於第二電容值，則認為基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
步驟304：根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
可以通過以下方式，確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷：
一種方式：將分布式線路中的每條線路的第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較，若第一電容值不等於所述第二電容值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
另一種方式：若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
其中，閾值的設定可以由本領域技術人員採用任意適當方式進行設定，如可以採用人工經驗設定閾值，或者針對歷史數據的差異值設定閾值，還可以採用其他方式，本發明對此不作限制。
本發明實施例，由於基板TFT Fan Out區域的絕緣層表面出現劃傷，則電容值會發生變化，因而當第一電容值不等於第二電容值時，則確定基板絕緣層表面劃傷，從而在基板生產流通階段就可以確定基板絕緣層的損壞，從而避免了問題產品的出貨。
實施例三
參照圖9，其示出了本申請實施例三所述一種基板劃傷檢測設備的示意圖，該設備具體包括：
掩膜板901和測試裝置902，其中，所述測試裝置包括：測試夾具9021和集成電路9022.
所述掩膜板用於在基板扇出區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。
其中，所述掩膜板使用的氧化物材料包括：氧化銦錫材料，也可以為其他金屬氧化物材料，對此本申請不做具體限制。
優選的，所述掩膜板用於根據基板扇出區域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路。
或者，根據集成電路的成本形成分布式線路。
優選的，所述掩膜板還用於根據信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據所述寬度生成分布式線路。
所述測試夾具用於檢測所述掩膜板形成的所述分布式線路中每條線路的第一電容值。
所述集成電路用於將測試夾具檢測的所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較。
所述集成電路包括比較單元，所述比較單元用於根據比較結果確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
優選的，所述比較單元具體用於：
若所述第一電容值不等於所述第二電容值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
優選的，所述比較單元具體用於：
若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設定閾值，則確定基板扇出區域的絕緣層表面劃傷。
本發明實施例，通過在基板TFT Fan Out區域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，防止絕緣表面劃傷，然後檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產品的第二電容值進行比較，根據比較結果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產流通階段可以及時發現TFT Fan Out區域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產品出貨，進而降低了產品的不良率。
綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制，具體地，需要注意以下幾點：
首先，本說明書中的各個實施例均採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同或相似的部分互相參見即可。
其次，需要說明的是，在本發明的描述中，除非另有說明，術語「第一」、「第二」、「內」、「外」、「上」、「下」、「左」、「右」等指示的順序、方位或者位置關係為人為定義的順序或基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明或使描述更加清晰、有條理，而不是指示或者暗示所指的結構或部件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
第三，在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細節。然而，能夠理解，本發明的實施例可以在沒有這些具體細節的情況下實踐。在一些實例中，並未詳細示出公知的方法、結構和技術，以便不模糊對本說明書的理解。
第四，應當理解，為了精簡本公開並幫助理解各個發明方面中的一個或多個，在上面對本發明的示例性實施例的描述中，本發明的各個特徵有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，並不應將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本發明要求比在每個權利要求中所明確記載的特徵更多的特徵。更確切地說，如下面的權利要求書所反映的那樣，發明方面在於少於前面公開的單個實施例的所有特徵。因此，遵循具體實施方式的權利要求書由此明確地併入該具體實施方式，其中每個權利要求本身都作為本發明的單獨實施例。
最後，應該注意的是上述實施例對本發明進行說明而不是對本發明進行限制，並且本領域技術人員在不脫離所附權利要求的範圍的情況下可設計出替換實施例。在權利要求中，不應將位於括號之間的任何參考符號構造成對權利要求的限制。