革命性的VLT技術或將改變DRAM產業格局
2025-05-11 20:09:24
顯著降低成本且與DDR SDRAM完全兼容；使用標準CMOS工藝製造且無需昂貴的電容結構
中國北京—2016年10月11日—半導體嵌入式非易失性存儲器（eNVM）智慧財產權（IP）產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管（Vertical Layered Thyristor, VLT）技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試晶片正處於早期測試階段。Kilopass一直致力於推廣這項技術，並正與DRAM製造商進行許可協商。
「Kilopass以一次性可編程（OTP）存儲器技術的領導者而聞名，我很高興我們能夠為DRAM市場帶來新的革新，」Kilopass執行長Charlie Cheng說道。「我們的VLT技術是一項真正具有顛覆性的技術，運用它我們的被授權商能夠迅速高效地為市場提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM產品，這些產品在功耗和成本上將具有顯著優勢，同時也免去了現有DRAM製造流程中構建電容的困擾。」
VLT概覽
晶閘管是一種結構複雜的電子器件，在電學上等效於一對交叉耦合的雙極型電晶體。由於鎖存的形成，這種結構非常適合存儲器；與當前基於電容的DRAM相比，晶閘管內存不需要刷新。晶閘管於20世紀50年代被發明，之前人們曾屢次嘗試將其應用於SRAM市場，但都未能成功。
Kilopass的VLT通過垂直方式實現晶閘管架構，從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件，構造出製造工藝簡單的交叉點內存，這將帶來一項與DDR標準兼容，並且比當前頂尖的20納米DRAM製造成本低45%的新技術。
此外，因為VLT不需要複雜且高功耗的刷新周期，基於VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍將性能提高15%。最為關鍵的是，VLT避開了傳統DRAM製造中最大的挑戰，即溝電容的製造，從而規避了相關的專利衝突，這一點具有很重要的戰略意義。
VLT存儲單元的運行和器件測試已於2015年完成，測試結果與器件仿真系統TCAD具有優異的關聯性。一塊完整的內存測試晶片已於5月份成功流片，早期晶片測試正在進行當中。
行業展望
巨大的全球DDR（SDRAM）存儲器市場在總產值為3500億美元的全球半導體市場中佔據了超過500億美元的份額，使其成為政府為促進國內半導體產業發展而推出的推動措施中，最重要的產品類別之一。就中國而言，國務院於2014年6月頒布了《國家集成電路產業發展推進綱要》，要實現其中集成電路行業產值從2015年3500億人民幣以年均20%的增速達到2020年約8700億人民幣這一目標，DRAM產業的增長顯得至關重要。
然而，DRAM市場已經十分成熟，且由三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家企業共同佔有超過90%的市場份額。現有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅帶來了特有的製造挑戰，還被大量專利所保護。為了進入DRAM市場，後發的中國廠商必須利用創新的替代方案，以推動競爭升級，爭取實現差異化。VLT技術則代表了這樣的一種可能性。
供貨
現在已可以向數量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術，用於20nm到31nm工藝技術節點。Kilopass已使用其突破性的TCAD模擬器，在所有的半導體製造工藝細節上對這兩個節點進行了詳盡的模擬，新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。
全新的VLT DRAM架構將於2016年10月12日到13日在「中國集成電路設計業 2016 年會暨長沙集成電路產業創新發展高峰論壇」上展出，該活動的舉辦地點為湖南省長沙市湖南國際會議和展覽中心，Kilopass的展臺號是119。
關於Kilopass
Kilopass科技有限公司（Kilopass Technology，Inc.）是嵌入式非易失性存儲器（NVM）智慧財產權（IP）技術的領導者。其擁有專利的技術暨一次性可編程（OTP）NVM解決方案，擁有可擴展到各種先進CMOS工藝製程的無限容量，它們可被移植到每一家重要的代工廠和整合器件製造商（IDM），且滿足了市場對更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。Kilopass得到了當今許多知名品牌的信賴，其技術已被超過170家企業客戶所採用，至今已累計售出100億塊包含Kilopass技術的晶片，涉及400多種晶片設計，應用範圍涵蓋了工業、汽車、消費電子產品、行動裝置、模擬和混合信號以及物聯網（IoT）等。欲了解更多信息，請訪問www.kilopass.com或發送電子郵件至[email protected]。
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