Intel突破 65nm 70MbitSRAM製造成功
2024-12-19 00:18:08
日前，Intel宣布，他們採用最新的65納米工藝製造SRAM（靜態存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝製造出了70Mbit的大容量靜態存儲器。
靜態存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設備，例如處理器內部的高速緩存等存儲設備。
去年11月，Intel首次宣布65nm製造工藝的時候就曾宣布成功製造了4Mbit的SRAM，現在能夠生產出70Mbit的SRAM將有助於將來處理器的製造。
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