憑啥敢30天包退 昂達GTS450神戈做工解析

2024-12-28 14:23:10

　　春節將至，廣大遊戲迷們終於可以安安心心地補一補以前落下的」功課「了。常言道：工欲善其事，必先利其器。想在《使命召喚7》中獲得流暢的遊戲速度和優秀的畫質，沒有一片好顯卡可不行。目前中端顯卡市場，最為熱門的顯卡非GTS450莫屬，在諸多同晶片產品中，使用全鉭聚合物電容、4+2相供電，頻率900/4200MHz且具備外置超頻開關的昂達GTS450 1GB神戈更是成為了萬眾矚目的焦點。對看慣了固態電容、已經「審美疲勞」的消費者而言，比公版GTS450快25%，而又做工優秀的GTS450神戈，極具誘惑力。除了產品本身之外，昂達還延續了其在GTX460神戈上所做的服務：任何購買昂達GTS450神戈的用戶，均享受30天無條件退換服務。究竟是什麼讓昂達能夠有這樣的自信？下面就讓我們一睹這款顯卡的獨特魅力。

昂達GTS450 1GB神戈

　　高端顯卡Style   不變的全鉭電容

表面用聚氧樹脂包裹而成的T491，俗稱「黃鉭」

　　我們知道，GF106核心的流處理器個數是192個，定位中端，但價格中端，卻不意味著做工也一定要「中端」。拆除GTS450神戈的散熱器後，傳統的固態電容已經不見了。輸入部分為10顆美國KEMET的T491 100μF鉭聚合物電容，它與MLCC陶瓷電容共同組成了12V輸入端電容部分。另外在兩個12V輸入接口處還各有一個扼流線圈，用來輔助濾波。而黑色的鉭聚合物電容為三洋的470μF POSCAP（也有廠商把它叫做Hi-c CAP）。與前者相比，它主要是用作輸出端電容，正面、背面總計26顆。無論是POSCAP（HI-C)還是Kemet，其本質都是鉭聚合物電容。這種電容的陽極是燒結鉭，陰極是高導電性高分子聚合物。這種電容採用了導電性高分子材料，實現了更低的ESR及可靠性方面的改善，燒結鉭充分發揮了鉭的高介電係數特性，實現了小型電容器的大容量化。

成排的」Hi-C「電容

三洋官網上可以清楚地看到PosCAP系列電容實際上就是所謂的Hi-C

 　　與普通固態電容相比，鉭聚合物電容主要有五大優點：低ESR 和低阻抗、卓越的耐高溫性、更長的壽命、出色的安全性、體積小。 由於電解質不含氧原子，發生短路時不易燃燒，具有更高的安全性。與同等容量的其它電容器相比阻抗為1/3~1/10，而且相比普通固態電容，鉭聚合物電容的壽命最長可達150萬小時，且不會出現電解液乾涸導致電容無法工作的現象。最高可承受30A以上電流的衝擊，其採用的高分子材料耐熱性更高，達到無鉛化回流焊的溫度要求，相比同容量同耐壓的其他電容，體積顆減小1/3-1/10。 從鉭電容具備的這些優點來看，其規格品質確實要比固態電容高出不止一個檔次。在目前國內大型顯卡廠商中，推出全卡使用鉭聚合物電容產品的，目前只有昂達。

Kemet T491技術資料

　　具體到Kemet和POSCAP這兩種鉭聚合物電容之間，彼此又有一些顯而易見的差別。主要體現在漏電流量、ESR值和壽命上。一、漏電流量；Kemet T491鉭聚合物電容為9.4UA，三洋POSCAP鉭聚合物電容為10.UA（漏電流量越小越好）；二；ESR值，Kemet鉭聚合物電容ESR值最低可達3mΩ，三洋POSCAP鉭聚合物電容為5mΩ；三、壽命，Kemet T491鉭聚合物電容設計壽命為150萬小時，三洋POSCAP鉭聚合物電容為20萬小時。綜上所述，三洋POSCAP(Hi-C)雖然電氣性能不如KEMET的出色，但容量較大、成本低、可以使用多顆，也算是攤低了顯卡的成本。即使做工再出色的GTS450也不可能完全脫離其晶片對性能的限制，合理的用料和定價，是對市場必要的妥協。

4+2相供電

　　通常情況下公版GTS450使用3+1相供電，而昂達GTS450 1GB神戈核心部分採用加強型4相供電設計，PWM控制晶片為Richtek的RT8841，同置驅動IC。每相配有兩個全封閉電感和兩上兩下4個Mosfet，最高900KHz開關頻率，每相可以穩定提供35A電流供應。總共六相供電，最高提供210A電流，並能保持86.34%以上的電源轉換效率，足以滿足顯卡大幅超頻使用。而傳統的模擬供電方案開關頻率僅僅為300K Hz附近，每相僅僅穩定提供30A電流，速度、精度和集成度都有所差距。不僅如此，雙電感並聯還有助於增加單相可提供電流，這樣整卡的輸出電流就會增加，以承受GPU超頻後所需要的額外電流。

　　在顯存供電部分，昂達GTS450 1GB神戈採用2相供電，每相配有一上一下2個Mosfet。顯存供電部分位於PCB頂部，2相供電設計，每相1個電感，一上一下共2個Mosfet，PWM控制晶片為NEXSEM的NX2423。

　　上圖是核心供電的紋波圖，在待機狀態下，昂達GTS450 1GB神戈的核心紋波僅有9.2mv，而公版在783/3800MHz頻率下，核心紋波則接近20mv，相當於前者的2倍。紋波電壓越低，核心獲得的電流就越純淨，供電的改進和提升確實提升了顯卡的穩定，也為高頻乃至超頻操作提供了更好的基礎。

　　除此之外，供電相數較多的優勢還體現在功耗上。測試數據顯示：雖然待機情況下，由於設定頻率較高，昂達GTS450 1GB神戈比公版顯卡高3～4W，但在負載功耗上4+2相供電的優勢就顯現出來了，該顯卡在公版頻率下負載比普通GTS450顯卡低14W，而在加壓超頻到900/1800/4200MHz時也只是比公版顯卡高16W（再次優化測試環境後，準確值應為10W），與性能提高的幅度相比，功耗的提高几乎可以忽略不計。

　　HDT直觸式風扇  散熱效率提高27%

　　雖然GF106核心散熱大幅度降低，40nm工藝以及192個sp流處理器的熱量壓力較之GTX460的GF104顯然要小很多。但是因為較高的頻率設定，昂達這款GTS450神戈採用由CoolerMaster製造的雙熱管散熱器，散熱器由兩條8mm直徑熱管加32片鋁質散熱鰭片構成，搭配8cm PWM調速風扇足夠壓制發熱量不大的GF106核心。同時，熱管表面經過鍍鎳處理，可以有效防止氧化腐蝕。另外，散熱器採用熱管直觸式設計，熱管可以直接接觸GPU表面，散熱效率提高35%。風扇部分，使用了FY08015H12LPA CoolMaster原廠風扇，4pin，可調速。

　　測試環節模擬真實全封閉機箱內環境，在上圖公版頻率下（783/3608MHz），昂達GTS450 1GB神戈待機時核心電壓下降為0.962V，核心/Shader/顯存頻率下降為405/810/648MHz，而公版顯卡是能下降到51/101/540MHz的（據消息靈通人士反應，公版待機頻率有可能在運行部分以前2D、準3D遊戲時，出現花屏等兼容性問題。未經考證，不敢罔言）。待機5分鐘後，其GPU核心溫度穩定在28℃，風扇轉速2600RPM，但是風扇產生了少量的噪音。

　　公版頻率滿載環境下，昂達GTS450 1GB神戈的GPU核心溫度為48℃，電壓為1.05V。散熱器性能比較出色，而且該模式下滿載風扇轉速依然保持和待機情況下相同。

　　在900/4200MHz高頻下，昂達GTS450 1GB神戈的滿載溫度達到了56度，此時GPU電壓為1.125V。在Furmark測試，昂達GTS450 1GB神戈溫度表現出色，雖然風扇轉速已達2800轉，但所產生的噪音不足40db，較之低頻高12%。在全封閉機箱中幾乎可以忽略不計。從實際使用情況考慮，鑑於幾乎沒有任何一位玩家會讓自己的顯卡全天8小時處於Furmark級的環境下，昂達GTS450 1GB神戈量產所使用的散熱器表現已屬上乘。

　　除了上述特點之外，昂達GTS450 1GB神戈在跳線和外置超頻開關之間，選擇了後者。在關機後，用戶可通過調整跳線，改變顯卡的頻率，可玩性明顯提高。

　　目前，GTS450的市場價格多集中在799-899元。其中雖然不乏精品，但像昂達GTS450 1GB神戈這樣特點突出的，卻是不多。現在，顯示核心的發展正朝著低壓、大電流的方向發展。傳統固態電容和電路設計，即使可以在某一個負載點達到最優，也無法保證在高頻率下運行的顯卡整體功耗、溫度始終處於一個較低的範圍。只有引入ESR值更低、電流損耗率更低的電容；使用體積更小、散熱量更低的貼片式設計；增加供電相數，均勻地將電流分到每相供電，才可以打造出從輕載到滿載全功率範圍內效率非常好的化，同時滿足大幅度的瞬態響應要求、適合玩家超頻的顯卡。從這個角度來說，昂達GTS450 1GB神戈可以算作開中端顯卡價格、高端顯卡做工之先河，稱得上迄今為止最為奢華的GTS450。