裡程碑！新卡皇昂達GTX560Ti神戈揭秘
2024-08-04 00:54:13 2
GTX560Ti上市不久，筆者就某論發燒友論壇上就看到了昂達GTX560Ti神戈的樣卡。當時，我們就被其950MHz的核心頻率、全鉭聚合物電容和可搭載四風扇的模塊化散熱器所深深震撼。今天，筆者終於看到了這款顯卡的實物，並有幸在第一時間對其進行測試。在測試過程中，其全球創新的六熱管、模塊化風扇和一如既往的全鉭電容做工，給參與其中的每一個測試人員都留下了深刻的印象。對於一款顯卡而言，高頻率可以通過超頻、特挑等手段進行模仿，但優越的做工和設計理念卻絕對不可能被複製。今天，筆者就暫且為大家拋開頻率，為大家講講昂達GTX560Ti神戈頻率背後的故事。
為了讓大家對昂達GTX560Ti神戈有一個直觀的認識，讓我們先來零距離觀察一下這片顯卡。
從晶片角度上看，Geforce GTX560Ti顯卡使用的GF114，是NVIDIA精心打造的中高端旗艦，性能與功耗都非常平衡，特別是打開全部384個流處理器和ROP、TMU等單元之後，Geforce GTX560Ti顯卡性能已經直線飆升到可以與高端顯卡相對抗的級別。也正因為其巨大的潛質，我們才會對全鉭聚合物電容、創新模塊化四風扇設計的昂達GTX560Ti神戈的充滿了期待。
昂達GTX560Ti神戈
昂達GTX560Ti神戈顯卡基於全新40nm工藝製造的顯示核心，顯示晶片的核心代號為GF114，該顯卡擁有384個流處理器、32個光柵單元和64個紋理單元，同時標配256bit顯存控制器，它能夠完美支持DirectX 11 API和CUDA並行計算。
全鉭聚合物電容
在供電部分，我們看到了一直為玩家所激賞的全鉭聚合物電容和貼片式設計，與GTX460神戈、GTS450神戈一脈相承。其輸入部分為10顆美國KEMET的T491 100μF鉭聚合物電容，它與MLCC陶瓷電容共同組成了12V輸入端電容部分。另外在兩個12V輸入接口處還各有一個扼流線圈，用來輔助濾波。而黑色的鉭聚合物電容為三洋的470μF POSCAP（也有廠商把它叫做Hi-c CAP）。與前者相比，它主要是用作輸出端電容，正面、背面總計26顆。無論是POSCAP（HI-C)還是Kemet，其本質都是鉭聚合物電容。這種電容的陽極是燒結鉭，陰極是高導電性高分子聚合物。這種電容採用了導電性高分子材料，實現了更低的ESR及可靠性方面的改善，燒結鉭充分發揮了鉭的高介電係數特性，實現了小型電容器的大容量化。
六熱管、模塊化散熱器
在昂達GTX560Ti神戈諸多特點中，其獨創的模塊化、四風扇、六熱管散熱器無疑是玩家們關注的焦點。不過，限於篇幅，筆者決定將其獨立成篇，進行專門的介紹。在此之前，今天筆者先為大家對該顯卡的鉭聚合物電容和供電進行一番解析。
堅守！將全鉭聚合物電容進行到底
隨便百度一下，闡述鉭聚合物優越性的文章就有數萬篇之多。在這裡，筆者儘量以最為簡短的文字，為大家再次介紹一下鉭聚合物電容的優越性究竟在哪裡。
表面用聚氧樹脂包裹而成的T491，俗稱「黃鉭」
拆除GTX560Ti神戈的散熱器後，傳統的固態電容已經不見了。輸入部分為10顆美國KEMET的T491 100μF鉭聚合物電容，它與MLCC陶瓷電容共同組成了12V輸入端電容部分。另外在兩個12V輸入接口處還各有一個扼流線圈，用來輔助濾波。而黑色的鉭聚合物電容為三洋的470μF POSCAP（也有廠商把它叫做Hi-c CAP）。與前者相比，它主要是用作輸出端電容，正面、背面總計26顆。無論是POSCAP（HI-C)還是Kemet，其本質都是鉭聚合物電容。這種電容的陽極是燒結鉭，陰極是高導電性高分子聚合物。這種電容採用了導電性高分子材料，實現了更低的ESR及可靠性方面的改善，燒結鉭充分發揮了鉭的高介電係數特性，實現了小型電容器的大容量化。
成排的」Hi-C「電容
三洋官網上可以清楚地看到PosCAP系列電容實際上就是所謂的Hi-C
與普通固態電容相比，鉭聚合物電容主要有五大優點：低ESR 和低阻抗、卓越的耐高溫性、更長的壽命、出色的安全性、體積小。 由於電解質不含氧原子，發生短路時不易燃燒，具有更高的安全性。與同等容量的其它電容器相比阻抗為1/3~1/10，而且相比普通固態電容，鉭聚合物電容的壽命最長可達150萬小時，且不會出現電解液乾涸導致電容無法工作的現象。最高可承受30A以上電流的衝擊，其採用的高分子材料耐熱性更高，達到無鉛化回流焊的溫度要求，相比同容量同耐壓的其他電容，體積顆減小1/3-1/10。 從鉭電容具備的這些優點來看，其規格品質確實要比固態電容高出不止一個檔次。在目前國內大型顯卡廠商中，推出全卡使用鉭聚合物電容產品的，目前只有昂達。
Kemet T491技術資料
具體到Kemet和POSCAP這兩種鉭聚合物電容之間，彼此又有一些顯而易見的差別。主要體現在漏電流量、ESR值和壽命上。一、漏電流量；Kemet T491鉭聚合物電容為9.4UA，三洋POSCAP鉭聚合物電容為10.UA（漏電流量越小越好）；二；ESR值，Kemet鉭聚合物電容ESR值最低可達3mΩ，三洋POSCAP鉭聚合物電容為5mΩ；三、壽命，Kemet T491鉭聚合物電容設計壽命為150萬小時，三洋POSCAP鉭聚合物電容為20萬小時。綜上所述，三洋POSCAP(Hi-C)雖然電氣性能不如KEMET的出色，但容量較大、成本低、可以使用多顆，也算是攤低了顯卡的成本。合理的用料和定價，是對市場必要的妥協。
背面有12個三洋POSCAP（Hi-C)鉭聚合物電容
6相供電 迄今為止GTX560TI規格不凡
通常情況下公版GTX560 Ti使用3+1相供電，而昂達GTX560神戈核心部分採用加強型4相供電設計，PWM控制晶片為Richtek的RT8841，同置驅動IC。每相配有兩個全封閉電感和兩上兩下4個Mosfet，最高900KHz開關頻率，每相可以穩定提供45A電流供應。總共4相供電，最高提供180電流，並能保持89.34%以上的電源轉換效率，足以滿足顯卡大幅超頻使用。而傳統的模擬供電方案開關頻率僅僅為300K Hz附近，每相僅僅穩定提供30A電流，速度、精度和集成度都有所差距。不僅如此，雙電感並聯還有助於增加單相可提供電流，這樣整卡的輸出電流就會增加，以承受GPU超頻後所需要的額外電流。
供電主控晶片RT8841性能
在顯存供電部分，昂達GTX560神戈採用2相供電，每相配有一上一下2個Mosfet。顯存供電部分位於PCB頂部，2相供電設計，每相1個電感，一上一下共2個Mosfet，PWM控制晶片為NEXSEM的NX2423。
GTX560Ti神戈待機紋波電路圖
上圖是核心供電的紋波圖，在待機狀態下，昂達GTX560神戈的核心紋波僅有9.2mv，而公版在783/3800MHz頻率下，核心紋波則接近20mv，相當於前者的2倍。紋波電壓越低，核心獲得的電流就越純淨，供電的改進和提升確實提升了顯卡的穩定，也為高頻乃至超頻操作提供了更好的基礎。
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除此之外，供電相數較多的優勢還體現在功耗上。測試數據顯示：雖然待機情況下，由於設定頻率較高，GTX560神戈比公版顯卡高3～4W，但在滿載功耗上6相供電的優勢就顯現出來了，該顯卡在公版頻率下負載比普通GTX560 1GB低19-24W，下圖Furmark平均溫度66度的成績，充分體現了其做工的優越性。
如果說全鉭聚合物電容、貼片式設計、6相供電，玩家已經在昂達神戈系列高端顯卡上「司空見慣」。那麼，昂達GTX560Ti 神戈所使用的六熱管、可搭載4風扇、足以與U120E、IF14等媲美的散熱器效能究竟如何，以及它對於顯卡散熱器的整體發展究竟有何意義。筆者將在隨後的文章中為大家進行介紹，敬請期待。
