顯微鏡下的Broadwell：真的是14nm工藝

2025-02-24 06:38:28

    泡泡網CPU頻道10月29日 Intel今年8月份正式公布了14nm工藝及Broadell架構中的Core M處理器，目前已經有聯想、華碩等筆記本廠商推出了基於Core M處理器的輕薄筆記本。擅長晶片級分析的Chipworks日前就以這些筆記本上的Core M處理為例子又做了一次專業分析。

    詳細的分析還在測試中，下面這些是Chipworks的初步工作成果，我們先來看看Intel 14nm工藝的大概情況。

    這張圖是放大之後的，所以有些模糊，不過從他們標記的橫線那裡還是能數出10個柵極距，長度699nm，平均間距69.9nm，跟下圖中Intel官方公布的70nm柵極門間距（gate pitch）是相符的。

Intel官方公布的柵極門間距是70nm

    這張圖上可以看到鰭片（fin），有20個個，總長843nm，平均間距是42nm，也跟Intel的官方說法相符。

    再來看看橫切面的剖圖，Intel宣稱頂部的金屬層是從65nm工藝就開始用的了，有13層金屬層，還有一個金屬注塑（MIM-cap）成型層。

    再來看看邊緣的情況，這裡沒有金屬層或者MIM-cap層，可以數出12層截面。

    之前在IBM 22nm工藝的Power8處理器上見到過12層金屬，Intel最新幾代產品使用的是9層，BayTrai處理器上是11層。

    Intell公布的互聯門間距是52nm，不過這裡顯示的是54nm，這裡面可能有些誤差。

    現在他們還沒有詳細的TEM資料，所以看不清電晶體或者鰭片，不過Intel官方給出過14nm 3D電晶體的圖片，如下圖所示。

    從圖片來看，Intel的14nm電晶體相比22nm工藝明顯縮小了，鰭片（fin）也改進了，柵極金屬看起來跟22nm差不多，早期的工藝中還使用了鎢柵極填充。（這應該是第四次金屬柵極工藝的升級換代了）

    Chipworks的詳細分析很快會出爐，不過他們的報告是要收費的，適合企業用戶去研究。■