三星將率先用70nm製程，量產NAND快閃記憶體

2024-12-14 06:35:08

　　根據南韓聯合通訊社15日的報導，三星電子將在今年3月，率先採用70奈米製程量產NAND型快閃記憶體，並在今年7月啟用快閃記憶體專用廠－Fab 14廠（第三座12寸晶圓廠），以強化其在NAND型快閃記憶體領域的主導權。

　　南韓業界相關人員表示，三星電子將在下個月於NAND型快閃記憶體量產線，採用70奈米製程量產4Giga NAND型快閃記憶體，以此誇示其在奈米製程領域的領先地位。

　　他還表示，目前三星電子在NAND型快閃記憶體的生產上，採用90奈米級以下製程的比重已拉高到九成。三星電子還計劃在今年第二季，將採用70奈米級製程技術的比重，由今年第一季的5％提高到10~15％。

　　同時，三星電子將在今年7月啟用器興Fab 14廠。Fab 14廠初期將月投7千片12寸晶圓，並計劃在今年年底提高到1.5萬片，未來則將擴大到5萬片。 相較於90奈米製程，採用70奈米製程除可增加40％左右的產量外，並可大幅降低生產成本。

　　目前三星電子於Fab 7廠與Fab 8廠生產NAND型快閃記憶體，預期在啟用Fab 14廠後，其NAND型快閃記憶體產量將大幅增加。

　　此外，三星電子去年在NAND型快閃記憶體領域的營收達35.3億美元，較2003年大增66.2％，並佔有全球55.7％的市場。 預期今年NAND型快閃記憶體市場規模將首度超越NOR型快閃記憶體，並在2006年擴大到107億美元。

　　另外，與意法半導體（STMicroelectronics）策略結盟，並在去年2月成功開發出512M NAND型快閃記憶體的Hynix Semiconductor，亦在去年第三季將清州M9 Line轉換為NAND型快閃記憶體專用生產線。Hynix計劃在今年將NAND型快閃記憶體生產比重，由去年第三季的7~8％提高到15％左右，並考慮視市場需求，於預定在明年啟用的中國合資廠生產NAND型快閃記憶體。

　　Hynix擴產NAND型快閃記憶體，目的在於降低對DRAM的依賴度。去年Hynix在NAND型快閃記憶體領域的市佔率為3.5％，居全球第四位。