專利
一種LED封裝器件的製造方法及LED封裝器件與流程
本發明涉及一種發光器件的製造方法，尤其涉及一種LED封裝器件的製造方法及LED封裝器件。背景技術：LED封裝是指將LED發光晶片封裝在一定的結構裡，達到保護燈芯的效果，同時該封裝結構能夠透光。目前GaN基LED(GaN基LED指該發光晶片是GaN或主相是GaN晶體所做的)封裝主要有正裝結構、倒裝結構
電阻式隨機存取存儲器的製作方法
本發明是有關於一種非易失性存儲器，且特別是有關於一種電阻式隨機存取存儲器。背景技術：由於非易失性存儲器具有數據在斷電後也不會消失的優點，因此許多電器產品中必須具備此類存儲器，以維持電器產品開機時的正常操作。目前，業界積極發展的一種非易失性存儲元件是電阻式隨機存取存儲器(resistive rando
一種高遷移率的氧化錫基薄膜材料的製作方法
本發明涉及一種導熱散熱材料，尤其涉及一種高遷移率的氧化錫基薄膜材料。背景技術：隨著信息顯示技術的高速發展，氧化物半導體在許多應用領域中都得到了廣泛的關注。在過去幾十年裡，n型氧化物半導體在材料製備以及器件的應用中取得了巨大的成功，但是p型氧化物半導體的發展還非常滯後。微電子工業的進步以及電子器件的小
硫摻雜氧化銻可見光光催化劑的製備方法及其應用的製作方法
硫摻雜氧化銻可見光光催化劑的製備方法及其應用的製作方法【專利摘要】本發明公開一種硫摻雜氧化銻可見光光催化劑水熱製備方法。製備方法如下:將SbCl3，硫代乙醯胺和去離子水在室溫下攪拌混合，通過2～6mol/LNaOH調節pH為10～14，得到納米粉體前驅液；將上述納米粉體前驅液置於高壓反應釜中，先升溫
半導體發光裝置的製作方法
本申請案享有以日本專利申請案2015-153665號(申請日：2015年8月3日)及日本專利申請案2015-237219號(申請日：2015年12月4日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照這些基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。技術領域本發明的實施方式涉及一種半導體發光裝置。背景技術：半導體發