3D TLC威力如何?三星850 EVO首發評測
2025-05-02 23:40:29
泡泡網SSD固態硬碟頻道12月8日 憑藉雄厚的工廠資源,三星第一個將TLC快閃記憶體投入了實用,並連續推出了840、840 EVO兩代產品,都是物美價廉的代表。現在,第三代的「850 EVO」來了,而且第一次應用了3D V-NAND堆疊的TLC。
這種快閃記憶體規格從一誕生就爭議不斷,相比於單位的SLC、雙位的MLC,三位的它成本更低,但是相對壽命短很多,性能也差一些。
雖說無論從理論還是實際上看,TLC應付日常應用都綽綽有餘,但是用戶對它的長期可靠性一直都沒有放下心來。
特別是這段時間,iPhone 6部分也用了TLC快閃記憶體,結果出現了一些毛病,更是質疑聲群起。在此之前,840 EVO、840先後出現了老數據讀取掉速的問題,雖然三星極力否認和TLC有關,但實在沒法讓人信服。
另一方面,三星也是第一個玩起3D堆疊快閃記憶體技術的,都發展到了第二代。
850 EVO也是3D、TLC兩種技術認可度高次結合在一起,堆了多達32層,能開出什麼花呢?日本網站4Gamer搶先公布了對它的實際評測。
【850 EVO規格解析】
850 EVO仍是傳統的SATA 6Gbps 2.5寸盤規格,6.8毫米超薄,容量分為120GB、250GB、500GB、1TB,搭配緩存256MB-1GB,安全技術支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0,平均故障間隔時間150萬小時,終生數據寫入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。
不過快閃記憶體顆粒的具體工藝暫時不詳。
性能方面,持續讀寫最高都是540MB/s、520MB/s,隨機讀寫則是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盤頂天也就是這樣了,但是對於TLC來說已經很高很高,基本可以媲美MLC。
值得一提的是主控,120-500GB用的是最新一代MGX,據稱優化了性能,特別是低容量下的隨機性能。1TB的則是和上代相同的MEX,後者的功耗也略高一些。
從三星給出的數據看,同容量的850 EVO隨機寫入性能的確比840 EVO高很多,即便是同樣主控的1TB版也更快了,隊列深度1的時候都能加速21%,隊列深度32的時候120GB版可以加速1.5倍!
840 EVO引入寫入加速技術「TurboWrite」也延續了下來,它是通過將TLC模擬成高速的SLC來提升性能,現在號稱更猛了,尤其是持續寫入可以加快7-19%。
RAPID技術同樣還在,簡單地說是藉助系統內存和CPU資源緩存頻繁訪問的數據,進行加速。
另外,質保時間也從3年提高到了5年,相信可以讓大家更放心一些了。
【850 EVO 120GB實物拆解】
本次測試的是最小容量的,但是從價格、性價比方面看,這也是大多數用戶首選的,因此更有實際意義。
850 EVO:表面顏色更深了
這是840 EVO
背面有型號、編號等信息
打開外殼大吃一驚,PCB居然這麼小!這自然得益於如今快閃記憶體的高集成度
背面甚至基本是空的,只有一些電器元件
中間的S4LN062X01-Y030就是MGX主控,因為此前MEX主控的編號是S4LN045X01-8030。上邊就是3D TLC快閃記憶體顆粒,編號K90KGY8S7C,單顆容量128GB。下邊是緩存,256MB LPDDR3
背面有一個空焊位
三星固態硬碟管理工具Magician 4.5
【性能測試:PK 840 EVO】
測試平臺配置如下:
測試項目不是很多,但也足以看清850 EVO的表現了,尤其是和上代840 EVO對比有多大的進步呢?
PCMark 8存儲得分:基本沒有任何不同,開啟RAPID模式後增加了幾十分,也只有1%。
PCMark 8存儲帶寬:進步神速啊,提升了幾乎有60%。RAPID模式也有點效果,能進一步提升4-7%。
PCMark 8遊戲載入速度:沒任何變化,RAPID開關也無不同。
CDM持續讀寫速度:讀取沒變,寫入瘋了,300MB/s左右躥升超過了510MB/s,達到了十分理想的水平。
CDM 512KB隨機讀寫速度:讀取反而還有所倒退,1000MB區塊的寫入倒是繼續暴漲,提升了45%。
CDM 4KB隨機讀寫速度:讀取、寫入都小有進步。
CDM 4KB 32隊列深度隨機讀取速度: 讀取提升了超過10%,1000MB區塊的寫入又一次暴漲,接近70%。
Iometer隨機讀寫:太兇了,翻了一番還多。
HD Tune:兩張圖裡看起來都是850 EVO,但是原文說第二張其實是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。
【850 EVO:你值得擁有】
雖然還是TLC,不過這次850 EVO真的是很有誠意。3D堆疊技術的加入當然是最大亮點,它大大提高了存儲密度,並進一步降低了成本,直接好處就是可以更便宜一些。
3D堆疊的長期可靠性還有待檢驗,但是考慮到此前是首先在伺服器和數據中心領域使用的,應該更可靠才對。
另一點證據就是,質保從3年延長至5年,說明三星對V-NAND是很有信心的。
新的主控暫時還了解得不是很多,但提升寫入性能的宣傳不是白給的,配合TurboWrite、RAPID,新一代的隨機寫入有了明顯的進步,已經堪比主流MLC,讀取也有所進步。
如果你使用中的隨機讀寫比較頻繁,這一代會有明顯改觀。
最關鍵的價格暫時不詳。此前美國電商給出的預訂價大致在100、150、260、480-500美元,即便排除其中的水分也可以基本肯定會比840 EVO貴一些,要拉開檔次的節奏,畢竟規格更強了,質保也更長了,但是只要別太離譜,還是很值得關注的。 ■