3D TLC威力如何?三星850 EVO首發評測

2025-05-02 23:40:29

    泡泡網SSD固態硬碟頻道12月8日 憑藉雄厚的工廠資源，三星第一個將TLC快閃記憶體投入了實用，並連續推出了840、840 EVO兩代產品，都是物美價廉的代表。現在，第三代的「850 EVO」來了，而且第一次應用了3D V-NAND堆疊的TLC。

    這種快閃記憶體規格從一誕生就爭議不斷，相比於單位的SLC、雙位的MLC，三位的它成本更低，但是相對壽命短很多，性能也差一些。

    雖說無論從理論還是實際上看，TLC應付日常應用都綽綽有餘，但是用戶對它的長期可靠性一直都沒有放下心來。

    特別是這段時間，iPhone 6部分也用了TLC快閃記憶體，結果出現了一些毛病，更是質疑聲群起。在此之前，840 EVO、840先後出現了老數據讀取掉速的問題，雖然三星極力否認和TLC有關，但實在沒法讓人信服。

    另一方面，三星也是第一個玩起3D堆疊快閃記憶體技術的，都發展到了第二代。

    850 EVO也是3D、TLC兩種技術認可度高次結合在一起，堆了多達32層，能開出什麼花呢？日本網站4Gamer搶先公布了對它的實際評測。

【850 EVO規格解析】

    850 EVO仍是傳統的SATA 6Gbps 2.5寸盤規格，6.8毫米超薄，容量分為120GB、250GB、500GB、1TB，搭配緩存256MB-1GB，安全技術支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障間隔時間150萬小時，終生數據寫入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。

    不過快閃記憶體顆粒的具體工藝暫時不詳。

    性能方面，持續讀寫最高都是540MB/s、520MB/s，隨機讀寫則是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盤頂天也就是這樣了，但是對於TLC來說已經很高很高，基本可以媲美MLC。

    值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，據稱優化了性能，特別是低容量下的隨機性能。1TB的則是和上代相同的MEX，後者的功耗也略高一些。

    從三星給出的數據看，同容量的850 EVO隨機寫入性能的確比840 EVO高很多，即便是同樣主控的1TB版也更快了，隊列深度1的時候都能加速21％，隊列深度32的時候120GB版可以加速1.5倍！

   840 EVO引入寫入加速技術「TurboWrite」也延續了下來，它是通過將TLC模擬成高速的SLC來提升性能，現在號稱更猛了，尤其是持續寫入可以加快7-19％。

    RAPID技術同樣還在，簡單地說是藉助系統內存和CPU資源緩存頻繁訪問的數據，進行加速。

    另外，質保時間也從3年提高到了5年，相信可以讓大家更放心一些了。

【850 EVO 120GB實物拆解】

本次測試的是最小容量的，但是從價格、性價比方面看，這也是大多數用戶首選的，因此更有實際意義。

850 EVO：表面顏色更深了

這是840 EVO

背面有型號、編號等信息

打開外殼大吃一驚，PCB居然這麼小！這自然得益於如今快閃記憶體的高集成度

背面甚至基本是空的，只有一些電器元件

    中間的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因為此前MEX主控的編號是S4LN045X01-8030。上邊就是3D TLC快閃記憶體顆粒，編號K90KGY8S7C，單顆容量128GB。下邊是緩存，256MB LPDDR3

背面有一個空焊位

三星固態硬碟管理工具Magician 4.5

【性能測試：PK 840 EVO】

測試平臺配置如下：

    測試項目不是很多，但也足以看清850 EVO的表現了，尤其是和上代840 EVO對比有多大的進步呢？

PCMark 8存儲得分：基本沒有任何不同，開啟RAPID模式後增加了幾十分，也只有1％。

    PCMark 8存儲帶寬：進步神速啊，提升了幾乎有60％。RAPID模式也有點效果，能進一步提升4-7％。

PCMark 8遊戲載入速度：沒任何變化，RAPID開關也無不同。

    CDM持續讀寫速度：讀取沒變，寫入瘋了，300MB/s左右躥升超過了510MB/s，達到了十分理想的水平。

    CDM 512KB隨機讀寫速度：讀取反而還有所倒退，1000MB區塊的寫入倒是繼續暴漲，提升了45％。

CDM 4KB隨機讀寫速度：讀取、寫入都小有進步。

   CDM 4KB 32隊列深度隨機讀取速度： 讀取提升了超過10％，1000MB區塊的寫入又一次暴漲，接近70％。

Iometer隨機讀寫：太兇了，翻了一番還多。

   HD Tune：兩張圖裡看起來都是850 EVO，但是原文說第二張其實是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

【850 EVO：你值得擁有】

    雖然還是TLC，不過這次850 EVO真的是很有誠意。3D堆疊技術的加入當然是最大亮點，它大大提高了存儲密度，並進一步降低了成本，直接好處就是可以更便宜一些。

    3D堆疊的長期可靠性還有待檢驗，但是考慮到此前是首先在伺服器和數據中心領域使用的，應該更可靠才對。

    另一點證據就是，質保從3年延長至5年，說明三星對V-NAND是很有信心的。

    新的主控暫時還了解得不是很多，但提升寫入性能的宣傳不是白給的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的隨機寫入有了明顯的進步，已經堪比主流MLC，讀取也有所進步。

    如果你使用中的隨機讀寫比較頻繁，這一代會有明顯改觀。

    最關鍵的價格暫時不詳。此前美國電商給出的預訂價大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定會比840 EVO貴一些，要拉開檔次的節奏，畢竟規格更強了，質保也更長了，但是只要別太離譜，還是很值得關注的。 ■