三星850Pro ssd可靠性測試 6000次P/E
2024-12-22 16:33:10
泡泡網SSD固態硬碟頻道7月8日 三星前不久發布了850 Pro固態硬碟，性能提升並不明顯，但是850 Pro它使用的是三星第二代的V-NAND快閃記憶體。測試顯示其P/E循環壽命達到了6000次，大約是目前NAND的2倍，但沒有達到三星官方所說的10倍可靠性。
三星前不久發布了新一代的850 Pro固態硬碟，在SATA 6Gbp接口的制約下，其性能提升相比840 Pro來說並不明顯，但是850 Pro最引人矚目的地方在於快閃記憶體——它使用的是三星第二代的V-NAND快閃記憶體。三星此前宣稱V-NAND快閃記憶體的性能及可靠性都有明顯提升，而850 Pro的10年質保多多少少也證明了這一點。
三星850 Pro固態硬碟的性能測試之前已經看過，這次我們來關心下使用V-NAND快閃記憶體的850 Pro在可靠性上到底如何，是不是真的像三星說的那麼強。這次出手測試的還是Anandtech網站，來看下他們的分析測試結果。
Anandtech網站測試可靠性用的方法——通過SMART信息中的WLC（ Wear Leveling Count）指數計算快閃記憶體的P/E擦寫次數，下圖中ID為177的指標就是WLC磨損水平計數，從100降到0意味著P/E次數用盡，不過WLC降到0也不代表SSD完蛋。
經過測試，原文稱每60次P/E循環之後WLC指數會下降1（實際測試不會只測1個WLC指數下降的），這意味著6000次之後WLC指數就會降低到0，也就是說850 Pro使用的V-NAND快閃記憶體的P/E壽命就是6000次，相比目前的2D快閃記憶體3000次的P/E壽命來說提升了一倍，但是與三星所說的10倍可靠性相去甚遠。（PS：之前的新聞中記得三星說的都是兩倍的可靠性，從3000到6000倒是正好符合這個2倍可靠性的說法。）
WLC指數從100降低到0，意味著NAND快閃記憶體的壽命將近，不過這並不是說SSD很快就完蛋了，實際上SMART信息中的WLC指標還是很保守的，就算是降到0，SSD還可以用很長時間，之前Techreport的SSD可靠性測試就證明了這一點，WLC降到0並不是世界末日，但是該指標一旦降到0了，說明SSD以後的使用還是會充滿風險的，說不定什麼時候就要掛掉了。
計算出了P/E壽命之後，再根據容量和預估的使用情況，我們就可以大體推算SSD的使用壽命了，這個方法在之前的文章中也有過介紹。
如果以每天寫入20GiB數據，1.5倍寫入放大來計算，128GB可以使用35年，1TB的甚至高達282年。再把使用情況加重一些，每天寫入100GiB數據，寫入放大率算作3，那麼128GB依然可以使用7年，256GB、512GB及1TB則可以使用14、28、56年之多。
當然，上面的計算還是比較理想的結果，因為計算的是主機寫入量，Anandtech又計算了最壞情況下也就是寫入放大率最高時的情況。
根據主機寫入量和NAND寫入量來計算寫入放大率，最壞情況下計算得出的是10.97x倍，下面的計算中算作11。
對於850 Pro的可靠性，Anandtech網站表示還會放入他們的企業級測試中進一步考驗。下面再來看850 Pro的另一個問題——NAND快閃記憶體的核心面積。
三星之前的發布會上並沒有公布850 Pro的NAND快閃記憶體的核心面積，Anandtech決定自己算一下，根據會場上公布的晶圓照，300mm晶圓上垂直方向有44個NAND核心，寬度6.8毫米。
至於如何計算，最簡單的方式是再數下水平方向的核心數量，但是圓形晶圓的計算會很複雜，他們用的是PS工具，每個核心的長度大約是寬度的2.05倍，計算出來每個核心的長寬就是14x6.8毫米，面積約為95.4平方毫米。
根據核心面積和容量計算下每個NAND的容量密度，最高的是三星第一代V-NAND快閃記憶體，850 Pro的二代V-NAND位居第二，每平方毫米大約是0.9Gbit。■
