Rambus再舉屠刀 DDRⅡ GDDR難倖免

2025-05-02 07:30:25

最近幾年，Rambus在業界的口碑似乎有每況愈下的趨勢。自從上世紀末聯手Intel靠RDRAM反攻全球內存市場的計劃失敗之後，Rambus就走上了依靠專利、訴訟、收取權利金過活的日子。

Infineon、Hynix、Nanya和Inotera
再度被Rambus專利訴訟的陰影所籠罩

美國東部時間2005年1月25日，Rambus在北加利福尼亞州地方法院再度對內存供應商提起訴訟，指控現代（Hynix）、英飛凌（Infineon）、南亞（Nanya）及其子公司華亞半導體（Inotera Memories）涉嫌侵犯該公司在DDRⅡ、GDDR2和GDDR3等方面的總共18項專利。

Infineon已經推出了2GB DDR2內存模組

在公司的新聞稿中，Rambus高級副總裁John Danforth表示：「由於市場分析公司預計今年DDR內存的市場將快速遷移至DDRⅡ和GDDR，並且在公共紀錄中已經出現了侵犯我們專利的有力證據，因此我們選擇在今天採取這一步驟，在美國境內提起本公司自2000年8月以來的第一場專利訴訟。」

Hynix推出的1GB DDR2 SO-DIMM內存模組

「我們傾向於和所有半導體業者合作以創造價值，並通過其他途徑解決這類問題。但有時候，和其他專利所有者一樣，我們必須依靠法律系統來確保我們的發明獲得公平的補償。」

南亞（Nanya）也推出了自有品牌DDR333內存模組

採用三星顆粒的DDR2-533內存模組

在其他的新聞報導中John Danforth指出，儘管內存產業的龍頭老大三星電子（Samsung）曾經和Rambus籤署DDR內存專利的授權協議，但協議授權的範圍並不包括DDRⅡ，言下之意，三星很可能成為Rambus的下一個目標。美國當地的內存巨頭美光（Micron）由於和Rambus另有一場官司正在進行中，因此昨天也倖免於難，但長期看來恐怕也是「在劫難逃」。<