存儲技術將突破！新技術性能提升千倍

2025-06-01 19:27:11

自從1989年NAND快閃記憶體技術問世以來，提升速度、容量及可靠性一直是NAND快閃記憶體不變的追求，但NAND快閃記憶體一直在量變而非質變。Intel、美光今天聯合宣布了3D XPoint快閃記憶體技術，號稱是25年來存儲技術的革命性突破，速度是目前NAND快閃記憶體的1000倍，耐用性也是目前快閃記憶體的1000倍，密度是NAND的10倍，而且它的非易失性不僅可以用於NAND硬碟，還可以用於RAM內存等，絕對是劃時代的進步。

在如今的數據大爆發的時代，數據的存儲及分析成為新的挑戰之一，廠商需要在性能、密度、功耗、非易失性以及成本之間平衡。Intel、美光推出的3D XPoint快閃記憶體速度及耐用性是目前NAND快閃記憶體的1000倍，容量密度則是NAND快閃記憶體的10倍，這將有助於解決目前數據存儲的難題。

更關鍵的一點是，3D XPoint快閃記憶體不同於目前的NAND快閃記憶體及RAM內存（兩者不僅性能有差異，關鍵的是內存是數據易失性的，斷電就沒數據了），它的出現有可能模糊快閃記憶體及內存的界限，不僅可以用於普通的快閃記憶體，還可以用於DRAM內存。

目前美光、Intel的工廠已經開始生產3D XPPoint快閃記憶體，首款使用3D XPoint快閃記憶體的產品預計在2016年問世，使用20nm工藝、雙層堆棧的128Gb核心快閃記憶體。看得出來，雖然Intel、美光宣傳的3D XPoint快閃記憶體非常NB，不過實際量產還要慢慢來，128Gb核心的容量相比目前的NAND快閃記憶體並沒有多大提升。