GDDR3顯卡值得買?顯存技術分析與測試
2025-01-07 08:36:09
泡泡網顯卡頻道7月9日 顯存對於一款專業遊戲顯卡來說,重要性不言而喻,顯存顆粒體質的好壞同樣關乎玩家們超頻的樂趣,時代變遷技術發展,曾經的GDDR3和如今的GDDR5到底有哪些性能上的提升呢?為什麼常見的中高端遊戲顯卡配備GDDR5顯存,低端顯卡有配備GDDR3顯存?GDDR5到底強在哪裡?兩者有何不同?我們帶著這些問題走進今天的技術探究。
● GDDR3:一代王者GDDR3源於DDR2技術
無論GDDR還是GDDR2,由於在技術方面與DDR/DDR2並無太大差別,因此最終在頻率方面GDDR並不比DDR高太多。在經歷了GDDR2的失敗之後,兩大圖形巨頭NVIDIA和ATI對JEDEC組織慢如蝸牛般的標準制訂流程感到越來越失望,認為他們制定的顯存不能適應GPU快節奏的產品更新換代周期,於是NVIDIA和ATI的工作人員積極參與到了JEDEC組織當中,以加速顯存標準的起草及制定。
雙方一致認為,顯存與內存在數據存儲的應用方面完全不同,在內存核心頻率(電容刷新頻率)無法提升的情況下,單純提高I/O頻率來獲得高帶寬很不現實。因此,必須要有一種針對高速點對點環境而重新定義的I/O接口。於是GDDR3誕生了,這是第一款真正完全為GPU設計的存儲器。
GDDR3和GDDR2/DDR2一樣,都是4Bit預取架構,GDDR3主要針對GDDR2高功耗高發熱的缺點進行改進,並提升傳輸效率來緩解高延遲的負面影響。
GDDR2隻有一條數據選擇脈衝(DQS),是單一雙向的,而GDDR3則擁有讀與寫兩條獨立的DQS,而且是點對點設計。這樣做的好處在於,在讀取之後如果馬上進行寫入時,不必再等DQS的方向轉變,由此實現讀寫操作的快速切換。
相比GDDR2/DDR2,GDDR3的讀寫切換動作可以少一個時鐘周期,如果需要對某一個連續的區塊同時讀寫數據時,GDDR3的速度就要比GDDR2快一倍。
由於存儲單元自身的特性,內存顆粒的邏輯Bank是無法同時讀寫數據的,並不存在「全雙工」一說,但GDDR3的這項改進讓順序讀寫成為可能。GPU本身緩存很小,與顯存之間的數據交換極其頻繁,讀寫操作穿插進行,因此GDDR3點對點設計的DQS可以讓顯存存儲效率大增。但對於CPU來說,讀寫切換並不如GPU那麼頻繁,而且CPU擁有大容量的二三級緩存,所以GDDR3這種設計並不能極大的提升內存帶寬,也沒有引入到下一代DDR3當中。
同時GDDR3也對I/O控制電路和終結電阻進行了修改,它不再沿用GDDR2的「推式(Push Pull)」接收器,而將其改為虛擬開極邏輯方式(Pseudo Open Drain Logic),並且通過將所有的三相數據信號轉移到本位電路上,來簡化數據處理,將DC電流壓至最小,只有當邏輯LOW移至總線上時才會消費電力,從而很好的控制了功耗和發熱。
即便使用了8bit預取技術,可GDDR4還是沒有與GDDR3拉開頻率差距,因為瓶頸在I/O控制器上面而不是內核,而GDDR5就是用來解決這一瓶頸的。
● GDDR5:恐怖的頻率是如何達成的
和GDDR4一樣,GDDR5採用了DDR3的8bit預取技術,核心頻率顯然不是瓶頸,如何提升I/O頻率才是當務之急。但GDDR5並沒有讓I/O頻率翻倍,而是使用了兩條並行的DQ總線,從而實現雙倍的接口帶寬。
GDDR5各項總線工作頻率示意圖
雙DQ總線的結果就是,GDDR5的針腳數從GDDR3/4的136Ball大幅增至170Ball,相應的GPU顯存控制器也需要重新設計。GDDR5顯存擁有多達16個物理Bank,這些Bank被分為四組,雙DQ總線交叉控制四組Bank,達到了實時讀寫操作,一舉將數據傳輸率提升至4GHz以上!
以往GDDR1/2/3/4和DDR1/2/3的數據總線都是DDR技術(通過差分時鐘在上升沿和下降沿各傳輸一次數據),官方標稱的頻率X2就是數據傳輸率,也就是通常我們所說的等效頻率。而GDDR5則不同,它有兩條數據總線,相當於Rambus的QDR技術,所以官方標稱頻率X4才是數據傳輸率。比如HD4870官方顯存頻率是900MHz,而大家習慣稱之為3600MHz。
NVIDIA對於GDDR5當然很感興趣,但卻一點都不著急,保守的NVIDIA決定堅守GDDR3,GTX200核心使用了512Bit顯存控制器來提升帶寬。比起R600的環形總線,NVIDIA從256Bit到384Bit再到512Bit一步一個腳印走出來的交叉總線顯然更加成熟。
以256Bit對抗512Bit,ATI只能將籌碼全部押在GDDR5身上,於是在GDDR5標準尚未完全確立之前,ATI已經在緊鑼密鼓的測試性能,並督促DRAM廠投產。可以說GDDR5和GDDR2/4一樣也是個早產兒,但失敗乃成功之母,有了完善的技術規格和製造工藝的支持,GDDR5一出世便令人刮目相看。