新RRAM技術可令行動裝置用上TB級別存儲

2025-06-13 11:03:08

    泡泡網SSD固態硬碟頻道7月25日 未來的智慧型手機可能附帶TB級存儲空間，根據萊斯大學表示，相關研究團隊已經花了五年時間，最終在室溫下找到製造低電壓阻性RAM(RRAM)方法，無需高溫或高壓條件。RRAM類似於目前在U盤、SSD存儲當中採用的快閃記憶體晶片，它可以無需恆定電源存儲數據，電阻式DRAM數據存儲採用電阻而不是電晶體，信息密度比快閃記憶體晶片高出很多。

　　RRAM層也可以層疊，以進一步增加存儲空間，目前，原型產品已經可以在郵票大小的晶片上存儲多達1TB數據。

　　萊斯大學研究團隊研發的方法是在一個二氧化矽層上蝕刻5納米的孔，然後將這個個二氧化矽層放置在兩個電極之間，施加電壓來沉積金屬。然後第二次充電破壞電極之間的連接，讓矽充填到間隙當中，最後通過施加低電壓脈衝來在矽間隙上存儲數據。

　　雖然該技術距離在智慧型手機上實用仍然很遠，但是已經引發內存生產商爭奪這項技術。萊斯大學教授James Tour表示，內存製造商的技術授權將在兩周內完成。