845E也能DDR400，七彩虹P4E ProII

2023-10-09 12:56:24

去年年中，DDR SDRAM內存相對RDRAM低廉的系統成本以及相對於SDRAM突出的性能提升，人們逐漸感受到DDR SDRAM的巨大優勢所在，經過一年時間的過渡，DDR SDRAM內存終於取得了市場的主流地位，當然這也是同英特爾後期推出支持DDR SDRAM晶片組是密不可分的。

DDR333與DDR400之爭：

去年矽統的SiS645晶片組首次提供了對DDR333 SDRAM內存的支持，而且對於Pentium 4這類對內存帶寬渴求度相當大的系統來說，普通的DDR266 SDRAM所提供的2.1GB/s的帶寬顯然已經不能夠滿足Pentium 4系統的對內存的存取速度需要，而對於Athlon XP處理器對於系統內存帶寬的要求則並非如此強烈，因此高內存帶寬對於提升Pentium 4系統性能來說才顯得尤為重要。

隨著Pentium 4系統平臺逐步全面轉向DDR333 SDRAM內存的支持，未來一段時間DDR333 SDRAM內存會是市場中絕對的主流產品。英特爾將在九月正式推出支持DDR333 SDRAM內存的845GE、845PE晶片組，在英特爾強有力支援下，自然下半年DDR333 SDRAM內存的銷量將會比上半年大幅度增張，近期三星等內存廠商都表示已經最好了一切準備，下半年開足馬力加大DDR333 SDRAM內存的產量。DDR333 SDRAM將取代DDR266 SDRAM成為內存市場上新的霸主。

從以往我們所進行的測試看，搭配DDR400 SDRAM內存的晶片組性能都相當好，在測試中幾乎可以同搭配PC800 RDRAM的850晶片組相互匹敵，但可惜的是當前還沒有一款晶片組可以很好的支持DDR400 SDRAM內存，即使有也只是停留在初期的工程樣板階段。象我們測試過的P4PB 400主板（P4X400晶片組）雖然官方宣布支持DDR400 SDRAM內存，但實際上其跑在DDR400模式下時還欠缺穩定性和可靠性，而矽統方面則只能在SiS648公板上通過DDR400內存測試，而其它大多數廠商推出的SiS648晶片組主板想要穩定運行DDR400內存則還比較困難。

但是對於一些DIY超頻發燒來說，DDR400內存絕對是其不二之選，因為內存方面完全可以沒有問題的運行在200MHz外頻下（DDR400），不少人可以在超頻時讓內存跑在200MHz外頻，甚至更高，系統性能得到了突出的提升。雖然矽統（SiS）以及威盛（VIA）都有支持DDR400 SDRAM內存晶片組的計劃，但人們還是將更多的目光放在了未來的DDRII以及雙通道DDR晶片組上，如果你注意到這些廠商的Roadmap，你會發現，明年上半年將是雙通道DDRII內存的天下。

RDRAM盤踞高端：

自從英特爾推出採用533MHz外頻的Pentium 4處理器，北橋與處理器之間的數據傳輸帶寬進一步提升到4.2GB/s，因此搭配數據帶寬為3.2GB/s的PC800 RDRAM內存已經不能完全滿足Pentium 4處理器巨大的「胃口」，內存又成為提升系統性能的瓶頸。

英特爾五月推出的845E、845G以及850E，都可以支持533MHz前端總線的Pentium 4處理器，似乎850E晶片組支持更快的PC1066 RDRAM也是理所當然的事情，但不知處於何種考慮英特爾官方並沒有宣布支持PC1066內存，不過在大多數850E主板中生產廠商則都提供了PC1066內存的支持，而且測試中表現也都非常穩定，因此它又成為最強的Pentium 4平臺，在高端市場PC1066內存與i850E晶片組仍是絕對的統治者。

未來一段時間RDRAM內存的發展方向一是進一步的提高工作頻率，在矽統晶片組的發展藍圖上看到其用於RDRAM內存的SiS658晶片組已經可以提供對PC1333 RDRAM的支持；二是引入32bit RIMM4200內存，這樣用戶不必為實現雙通道工作模式，而每次都必須插接兩根或四根RDRAM使用。

DDR內存的發展方向：

提高內存的有效工作頻率，是在不改變當前模塊設計的前提下提升內存帶寬最直接有效的方法，但是受到主板晶片組以及內存本身的影響，進一步提升內存的工作頻率已經相當困難，DDR400 SDRAM已是DDR-I內存的頂峰之作。但是DDR400 SDRAM內存雖然價格上並不昂貴，但是既沒有可與之完好搭配的晶片組支持，也沒有通過JEDEC（聯合電子工程委員會）的內存標準認證，因此DDR400內存只是現階段超頻玩家以及追求性能用戶的非常好的選擇，而DDR-II內存才是未來DDR SDRAM內存的接班人。

根據JEDEC在不久前制定的DDR-II內存的初步規範，DDR-II內存在生產工藝、封裝形式、工作電壓上與DDR-I都不盡相同。首先DDR-II採用了0.13微米工藝生產，封裝也隨之改為FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）形式，同目前內存製造廣為使用的TSOPII封裝形式相比，FBGA具有小巧外形的CSP（晶片級封裝）型，同時具有印製線路板小的優點，而且信號完整性更佳。

新的生產工藝不但可以保證內存穩定的運行在較高的頻率下，而且內存的工作電壓也由DDR-I所使用的2.5V降低到1.8V。從內存廠商ELPIDA公布資料看DDR-II533（運行在266MHz）內存的功耗為304mW，而現有的DDR266（運行在133MHz）內存的功耗為418mW，工作頻率提高了一倍，而功耗卻降低了27％。

根據JEDEC的DDR-II規劃藍圖，DDRII將擁有400MHz、533MHz、667MHz三種速度規格，分別對應200MHz、266MHz、333MHz實際頻率，內存帶寬分別達到3.2GB/s、4.2GB/s、5.4GB/s，初期生產的內存容量為512M，另外在圖形卡市場，DDR-II內存將很快出現在nVIDIA最新的圖形卡NV30上，而其擁有更高的時鐘頻率（800MHz以上），而且位寬更大。

另外，同DDR-I區別比較大的地方還有DDR-II增加了CAS、OCD、ODT、AL四個中端指令並且擁有4到8路的Burst Length（脈衝寬度）以及4位預取存取功能。三星等內存大廠已經生產出512MB的DDR-II SDRAM樣品。最快DDR-II內存將最快應用在nVIDIA十月推出的NV30圖形卡上，而DDR-II內存邁向市場主流，那就是2003年的事了。<