32nm延伸來! 臺積電宣布28nm研發成功

2023-12-05 20:07:07 4

   【泡泡網CPU頻道6月23日】近日臺積電宣布成功開發28nm技術工藝，配合雙╱三閘極氧化層製程，將32nm製程所使用的氮氧化矽/多晶矽材料延伸至28nm工藝製程，使得半導體可以持續往先進位程技術推進。此一製程技術的優勢還包括高密度與低六電晶體靜態隨機存取內存組件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統模擬╱射頻╱電子熔線組件、低電阻-電容延遲的低介電質銅導線。

    現在臺積電已成功以28nm雙╱三閘極氧化層系統單晶片技術生產出64MB，良率十分優異。此一SRAM的組件尺寸為0.127平方微米，相當具有競爭力，晶片閘密度高達每平方公釐390萬個閘。在SRAMVcc_min、電子熔線及模擬領域的優異表現足以證明此製程技術的可製造性。

    此一領先的製程技術再次展現臺積電在低耗電、高性能製程採用氮氧化矽╱多晶矽材料，提供客戶深具成本效益解決方案的承諾及能力。藉由應變矽與極具競爭力的氧化層厚度優化的氮氧化矽材料所產出的電晶體，與前一世代的45nm製程技術相較，不但頻率提高25-40%，操作功耗減少30-50%，還擁有低待機及低操作功耗的優勢。

    臺積電研究暨發展副總經理孫元成博士表示，此一進展要歸功於客戶們和TSMC的密切合作。客戶需要使用28nm技術來突破半導體應用的新範疇，而我們在創新之路上的不斷精進，將有助於半導體產業的創新者所設計的非常先進應用得到落實。■