7nm工藝關鍵設備產能提升但離量產還遠
2023-09-20 21:36:58 1
我們都知道半導體工藝越先進越好,用以衡量工藝進步的就是線寬,常說的xxnm工藝就代表這個,這個數字越小就代表電晶體越小,電晶體密度就越大。現在半導體公司已經進軍10nm工藝,但面臨的物理限制越來越高,半導體工藝提升需要全新的設備。EUV即紫外光刻機就是製程突破10nm及之後的7nm、5nm工藝的關鍵,現在ASML公司的EUV光刻機正在不斷提高產能和可靠性,但距離量產還有一段距離。
EUV要想獲得突破,需要不斷提升光源強度和可靠性。來自EE Times的報導稱,荷蘭ASML及TSMC臺積電在上周宣布他們的原型機上測試了85W光源,之後很快會提升到125W。ASML之前演示過185W光源的EUV光刻機,並許諾年底前會進一步提高到250W。
現在的EUV光刻機可靠性已經提高到了有70%的工作時間,每天可以處理500-600個晶圓,相比去年的情況已經有很大改善,但這遠遠不夠量產水平。ASML公司EUV項目總監Frits van Hout表示現在距離EUV應該達到的水平還有2-3步。現在出貨的EUV光刻機會升級,預計今年底達到應有的水平。
晶片製造商預計會在2018年使用EUV工藝生產晶片,屆時ASML的EUV光刻機有助於降低7nm工藝的成本。
雖然EUV工藝確實實現了預定目標,但由於產能和可靠性的問題,該項目已經多次延期,到了5nm及3nm節點,EUV可能還需要一次升級。ASML正為此與相關方討論具體的配置和時間細節。
值得一提的是,目前在EUV工藝上,TSMC比Intel要積極得多,此前TSMC就表示會在10nm工藝上使用EUV工藝,而Intel表示過就算沒有EUV工藝,他們也懂得如何製造晶片。不過如果EUV工藝真的能如期量產,Intel也會在7nm節點上啟用EUV工藝。■