三星搶先生產10nm工藝128Mbit SRAM緩存
2023-09-20 13:32:08 1
14/16nm工藝節點上,三星比TSMC更早量產FinFET工藝,進度只比Intel落後,這一代的工藝競逐賽就這麼定了。在下一代10nm工藝上,三星、TSMC與Intel又開始較勁了,Intel比較謹慎,10nm工藝的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能問世,TSMC的10nm工藝已經凍結研發,明年初試產,而三星這次更進一步,率先使用10nm FinFET工藝生產了128Mbit SRAM緩存。
三星電子日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET工藝生產了128Mbit SRAM緩存,後者通常用於處理器的緩存(L1/L2/L3緩存等等),速度比DRAM內存要快得多,目前Intel、TSMC的SRAM緩存還是14、16nm工藝。
三星這麼快就生產出了10nm工藝的SRAM緩存說明他們的工藝進展很順利。根據三星所說,與14nm工藝相比,其10nm SRAM緩存核心面積縮小了37.5%,如果應用於移動處理器,不僅性能更高,也有助於降低晶片核心面積。
至於10nm量產時間,三星預計的時間點在2016年底,跟TSMC的樂觀預計差不多,至少都比Intel的10nm工藝進度要快——不過前提是這兩家公司都沒吹牛,而且工藝進展一帆風順。■